- Интерес к ChatGPT на смартфонах стал угасать... (3804)
- Новая статья: Baby Steps — встань и иди.... (4826)
- Интерес к ChatGPT на смартфонах стал угасать... (5028)
- ИИ M**a будет предлагать пользователям... (4159)
- ИИ M**a будет предлагать пользователям... (4180)
- «Невероятно исторический момент»: в Football... (4545)
- Atari представила ретро-консоль... (5965)
- Atari представила ретро-консоль... (3672)
- Первый в мире 32-дюймовый монитор 8K HDR... (4366)
- Huawei представила смартфон Nova 14 Lite на... (4103)
- Стремительный прогресс Apple наглядно. Новая... (3859)
- Игровой ноутбук Redmagic Titan 16 Pro 2026... (4095)
- Тонкие смартфоны никому не интересны?... (4002)
- Китайцы создали «полароид» для астрономии —... (5017)
- Будущие процессоры AMD Ryzen смогут работать... (3767)
- HTC показала доступный геймерский смартфон... (3691)
Нитрид галлия обещает изменение форм-фактора зарядных устройств
Дата: 2020-02-22 21:26
Подробнее на Yandex.ru
Предыдущие новости
Распродажа: В России впервые подешевел смартфон Samsung Galaxy A51
На платформе Tmall запущена акция, позволяющая приобрести смартфон Samsung Galaxy A51 заметно дешевле, чем он стоит в большинстве других магазинов. Обычная цена официального Samsung Galaxy A51 с 64 Гбайт памяти, напомним, 19 990...
Главный конкурент Xiaomi Mi 10. Мощные флагманы iQOO 3 и iQOO 3 5G представлены официально
iQOO, игровой суббренд Vivo, представил сегодня горячо ожидаемый флагманский смартфон iQOO 3 и его вариацию iQOO 3 5G. Смартфон установил новый рекорд по производительности в AnTuTu. Как объявил производитель во время онлайн-презентации, смартфон набрал в бенчмарке 610 576 баллов. Это заметно больше результатов новых флагманов Xiaomi, прозванных компанией королями...
Imec и ASML показали получение линий с шагом 24 нм с использованием EUV-литографии с одной экспозицией
На проходящей сейчас конференции SPIE Advanced Lithography Conference институт imec и компания ASML объявили о прорыве в EUV-литографии. Речь идет о формировании линий с шагом 24 нм с применением всего одной экспозиции. Линии с таким шагом соответствуют размерам критически важных металлических слоев технологического узла 3 нм, формируемых на конечной стадии полупроводникового...
Первое в мире зарядное устройство с нитридом галлия мощностью 120 Вт
Компания Basel выпустила свое первое зарядное устройство с нитридом галлия в 2019 году, а в этом году популярность подобных адаптеров продолжает стремительно расти. Сегодня компания представила новое зарядное устройство Basel Galio, мощность которого составляет 120 Вт. Нитрид галлия (GaN) и карбид кремния (SiC), используемые в данном адаптере, в настоящее время являются...