- Новейший Sony Xperia 1 VIII одобрен для... (4268)
- SK hynix показала 245-Тбайт SSD серии... (4341)
- Трассировка лучей, «кошмарная» сложность и... (4130)
- Крупнейший за всю историю производителя... (4272)
- Gemini научили выполнять цепочки действий в... (4391)
- Lada Vesta получила блестящий цвет... (3751)
- Micron прекратит поставлять память для... (5418)
- Yamaha показала свежую версию мотоцикла... (4494)
- Задний экран Xiaomi 18 Pro получит больше... (5773)
- Российские космонавты провели более шести... (5434)
- 150 кВтч, зарядка за 4 часа и работа от -30... (5637)
- OnePlus 15 и OnePlus Ace 6 показали во всех... (3980)
- «Ничто не могло подготовить нас к такому»:... (5478)
- OpenAI начинает запрещать создавать... (4090)
- 200-мегапиксельная камера Hasselblad, 7500... (3770)
- Самый дешёвый складной смартфон Huawei —... (4420)
Нитрид галлия обещает изменение форм-фактора зарядных устройств
Дата: 2020-02-22 21:26
Подробнее на Yandex.ru
Предыдущие новости
Распродажа: В России впервые подешевел смартфон Samsung Galaxy A51
На платформе Tmall запущена акция, позволяющая приобрести смартфон Samsung Galaxy A51 заметно дешевле, чем он стоит в большинстве других магазинов. Обычная цена официального Samsung Galaxy A51 с 64 Гбайт памяти, напомним, 19 990...
Главный конкурент Xiaomi Mi 10. Мощные флагманы iQOO 3 и iQOO 3 5G представлены официально
iQOO, игровой суббренд Vivo, представил сегодня горячо ожидаемый флагманский смартфон iQOO 3 и его вариацию iQOO 3 5G. Смартфон установил новый рекорд по производительности в AnTuTu. Как объявил производитель во время онлайн-презентации, смартфон набрал в бенчмарке 610 576 баллов. Это заметно больше результатов новых флагманов Xiaomi, прозванных компанией королями...
Imec и ASML показали получение линий с шагом 24 нм с использованием EUV-литографии с одной экспозицией
На проходящей сейчас конференции SPIE Advanced Lithography Conference институт imec и компания ASML объявили о прорыве в EUV-литографии. Речь идет о формировании линий с шагом 24 нм с применением всего одной экспозиции. Линии с таким шагом соответствуют размерам критически важных металлических слоев технологического узла 3 нм, формируемых на конечной стадии полупроводникового...
Первое в мире зарядное устройство с нитридом галлия мощностью 120 Вт
Компания Basel выпустила свое первое зарядное устройство с нитридом галлия в 2019 году, а в этом году популярность подобных адаптеров продолжает стремительно расти. Сегодня компания представила новое зарядное устройство Basel Galio, мощность которого составляет 120 Вт. Нитрид галлия (GaN) и карбид кремния (SiC), используемые в данном адаптере, в настоящее время являются...