- Власти Японии призвали OpenAI соблюдать... (3821)
- Новейший Redmi K90 Pro Max с динамиком Bose... (3857)
- Poco, Xiaomi и OnePlus стали самыми... (4566)
- УАЗ впервые в истории вылетел из топ-5 рынка... (3697)
- BMW заявила, что захват Nexperia властями... (3784)
- Apple масштабно обновит MacBook Pro в... (3914)
- Nintendo намерена до марта выпустить 25 млн... (4758)
- Поигрались в ультратонкие смартфоны, и... (6277)
- Эра закончилась: четыре модели Samsung... (5992)
- Последний полет 33 двигателей Raptor. SpaceX... (4176)
- В России создадут спутник для сверхнизкой... (6025)
- 15 моделей смартфонов OnePlus получат... (5364)
- Совершенно новый Toyota Land Cruiser... (4396)
- Единственный флагман на Snapdragon 8 Elite... (4415)
- В России продают уникальный КамАЗ:... (3808)
- Советская классика по-немецки: уникальную... (5353)
Нитрид галлия обещает изменение форм-фактора зарядных устройств
Дата: 2020-02-22 21:26
Подробнее на Yandex.ru
Предыдущие новости
Распродажа: В России впервые подешевел смартфон Samsung Galaxy A51
На платформе Tmall запущена акция, позволяющая приобрести смартфон Samsung Galaxy A51 заметно дешевле, чем он стоит в большинстве других магазинов. Обычная цена официального Samsung Galaxy A51 с 64 Гбайт памяти, напомним, 19 990...
Главный конкурент Xiaomi Mi 10. Мощные флагманы iQOO 3 и iQOO 3 5G представлены официально
iQOO, игровой суббренд Vivo, представил сегодня горячо ожидаемый флагманский смартфон iQOO 3 и его вариацию iQOO 3 5G. Смартфон установил новый рекорд по производительности в AnTuTu. Как объявил производитель во время онлайн-презентации, смартфон набрал в бенчмарке 610 576 баллов. Это заметно больше результатов новых флагманов Xiaomi, прозванных компанией королями...
Imec и ASML показали получение линий с шагом 24 нм с использованием EUV-литографии с одной экспозицией
На проходящей сейчас конференции SPIE Advanced Lithography Conference институт imec и компания ASML объявили о прорыве в EUV-литографии. Речь идет о формировании линий с шагом 24 нм с применением всего одной экспозиции. Линии с таким шагом соответствуют размерам критически важных металлических слоев технологического узла 3 нм, формируемых на конечной стадии полупроводникового...
Первое в мире зарядное устройство с нитридом галлия мощностью 120 Вт
Компания Basel выпустила свое первое зарядное устройство с нитридом галлия в 2019 году, а в этом году популярность подобных адаптеров продолжает стремительно расти. Сегодня компания представила новое зарядное устройство Basel Galio, мощность которого составляет 120 Вт. Нитрид галлия (GaN) и карбид кремния (SiC), используемые в данном адаптере, в настоящее время являются...