- Стартап с российскими корнями XPANCEO... (6255)
- Asus представила клавиатуру Falchion Ace HFX... (4168)
- В США выпустят памятную однодолларовую... (5638)
- Toyota всерьез замахнулась на Rolls-Royce.... (4597)
- NVIDIA поможет Starcloud отправить в космос... (5660)
- Совершенно новый Nissan Navara на платформе... (5967)
- Безумный кооперативный симулятор Kaiju... (5730)
- На «Госуслугах» упростилось получение... (4377)
- OpenAI позволит взрослым пользователям... (5559)
- Rocket Lab успешно запустила седьмой... (4084)
- Honor представила сверхпрочные смарт-часы... (4072)
- Карточный роглайт «Бессмертный. Сказки... (6544)
- Радиотелескоп MeerKAT обнаружил скрытые... (5792)
- «Интересно и не душно»: разработчики... (4438)
- Учёные разработали алгоритм ImageMM для... (4443)
- От дореволюционной Москвы до современной: на... (4958)
Нитрид галлия обещает изменение форм-фактора зарядных устройств
Дата: 2020-02-22 21:26
Подробнее на Yandex.ru
Предыдущие новости
Распродажа: В России впервые подешевел смартфон Samsung Galaxy A51
На платформе Tmall запущена акция, позволяющая приобрести смартфон Samsung Galaxy A51 заметно дешевле, чем он стоит в большинстве других магазинов. Обычная цена официального Samsung Galaxy A51 с 64 Гбайт памяти, напомним, 19 990...
Главный конкурент Xiaomi Mi 10. Мощные флагманы iQOO 3 и iQOO 3 5G представлены официально
iQOO, игровой суббренд Vivo, представил сегодня горячо ожидаемый флагманский смартфон iQOO 3 и его вариацию iQOO 3 5G. Смартфон установил новый рекорд по производительности в AnTuTu. Как объявил производитель во время онлайн-презентации, смартфон набрал в бенчмарке 610 576 баллов. Это заметно больше результатов новых флагманов Xiaomi, прозванных компанией королями...
Imec и ASML показали получение линий с шагом 24 нм с использованием EUV-литографии с одной экспозицией
На проходящей сейчас конференции SPIE Advanced Lithography Conference институт imec и компания ASML объявили о прорыве в EUV-литографии. Речь идет о формировании линий с шагом 24 нм с применением всего одной экспозиции. Линии с таким шагом соответствуют размерам критически важных металлических слоев технологического узла 3 нм, формируемых на конечной стадии полупроводникового...
Первое в мире зарядное устройство с нитридом галлия мощностью 120 Вт
Компания Basel выпустила свое первое зарядное устройство с нитридом галлия в 2019 году, а в этом году популярность подобных адаптеров продолжает стремительно расти. Сегодня компания представила новое зарядное устройство Basel Galio, мощность которого составляет 120 Вт. Нитрид галлия (GaN) и карбид кремния (SiC), используемые в данном адаптере, в настоящее время являются...