- Эра закончилась: четыре модели Samsung... (5993)
- Последний полет 33 двигателей Raptor. SpaceX... (4183)
- В России создадут спутник для сверхнизкой... (6032)
- 15 моделей смартфонов OnePlus получат... (5366)
- Совершенно новый Toyota Land Cruiser... (4400)
- Единственный флагман на Snapdragon 8 Elite... (4418)
- В России продают уникальный КамАЗ:... (3813)
- Советская классика по-немецки: уникальную... (5359)
- Британцы раздумывали над уничтожением... (3895)
- Один из самых мощных мини-ПК в мире... (3936)
- Skoda Karoq можно заказать в России за 1,7... (3955)
- Новая статья: Обзор игрового QD-Mini LED... (3962)
- 10 420 мАч, 3К 144 Гц, Dimensity 9400+, 67... (4230)
- Anthropic представила инструмент Skills,... (4304)
- Oppo представила сверхтонкие смарт-часы... (3741)
- Умер легендарный гейм-дизайнер Томонобу... (4552)
Нитрид галлия обещает изменение форм-фактора зарядных устройств
Дата: 2020-02-22 21:26
Подробнее на Yandex.ru
Предыдущие новости
Распродажа: В России впервые подешевел смартфон Samsung Galaxy A51
На платформе Tmall запущена акция, позволяющая приобрести смартфон Samsung Galaxy A51 заметно дешевле, чем он стоит в большинстве других магазинов. Обычная цена официального Samsung Galaxy A51 с 64 Гбайт памяти, напомним, 19 990...
Главный конкурент Xiaomi Mi 10. Мощные флагманы iQOO 3 и iQOO 3 5G представлены официально
iQOO, игровой суббренд Vivo, представил сегодня горячо ожидаемый флагманский смартфон iQOO 3 и его вариацию iQOO 3 5G. Смартфон установил новый рекорд по производительности в AnTuTu. Как объявил производитель во время онлайн-презентации, смартфон набрал в бенчмарке 610 576 баллов. Это заметно больше результатов новых флагманов Xiaomi, прозванных компанией королями...
Imec и ASML показали получение линий с шагом 24 нм с использованием EUV-литографии с одной экспозицией
На проходящей сейчас конференции SPIE Advanced Lithography Conference институт imec и компания ASML объявили о прорыве в EUV-литографии. Речь идет о формировании линий с шагом 24 нм с применением всего одной экспозиции. Линии с таким шагом соответствуют размерам критически важных металлических слоев технологического узла 3 нм, формируемых на конечной стадии полупроводникового...
Первое в мире зарядное устройство с нитридом галлия мощностью 120 Вт
Компания Basel выпустила свое первое зарядное устройство с нитридом галлия в 2019 году, а в этом году популярность подобных адаптеров продолжает стремительно расти. Сегодня компания представила новое зарядное устройство Basel Galio, мощность которого составляет 120 Вт. Нитрид галлия (GaN) и карбид кремния (SiC), используемые в данном адаптере, в настоящее время являются...