- OpenAI начинает запрещать создавать... (4108)
- 200-мегапиксельная камера Hasselblad, 7500... (3790)
- Самый дешёвый складной смартфон Huawei —... (4441)
- Власти Японии призвали OpenAI соблюдать... (3847)
- Новейший Redmi K90 Pro Max с динамиком Bose... (3882)
- Poco, Xiaomi и OnePlus стали самыми... (4601)
- УАЗ впервые в истории вылетел из топ-5 рынка... (3711)
- BMW заявила, что захват Nexperia властями... (3813)
- Apple масштабно обновит MacBook Pro в... (3936)
- Nintendo намерена до марта выпустить 25 млн... (4777)
- Поигрались в ультратонкие смартфоны, и... (6297)
- Эра закончилась: четыре модели Samsung... (6013)
- Последний полет 33 двигателей Raptor. SpaceX... (4200)
- В России создадут спутник для сверхнизкой... (6052)
- 15 моделей смартфонов OnePlus получат... (5387)
- Совершенно новый Toyota Land Cruiser... (4415)
Нитрид галлия обещает изменение форм-фактора зарядных устройств
Дата: 2020-02-22 21:26
Подробнее на Yandex.ru
Предыдущие новости
Распродажа: В России впервые подешевел смартфон Samsung Galaxy A51
На платформе Tmall запущена акция, позволяющая приобрести смартфон Samsung Galaxy A51 заметно дешевле, чем он стоит в большинстве других магазинов. Обычная цена официального Samsung Galaxy A51 с 64 Гбайт памяти, напомним, 19 990...
Главный конкурент Xiaomi Mi 10. Мощные флагманы iQOO 3 и iQOO 3 5G представлены официально
iQOO, игровой суббренд Vivo, представил сегодня горячо ожидаемый флагманский смартфон iQOO 3 и его вариацию iQOO 3 5G. Смартфон установил новый рекорд по производительности в AnTuTu. Как объявил производитель во время онлайн-презентации, смартфон набрал в бенчмарке 610 576 баллов. Это заметно больше результатов новых флагманов Xiaomi, прозванных компанией королями...
Imec и ASML показали получение линий с шагом 24 нм с использованием EUV-литографии с одной экспозицией
На проходящей сейчас конференции SPIE Advanced Lithography Conference институт imec и компания ASML объявили о прорыве в EUV-литографии. Речь идет о формировании линий с шагом 24 нм с применением всего одной экспозиции. Линии с таким шагом соответствуют размерам критически важных металлических слоев технологического узла 3 нм, формируемых на конечной стадии полупроводникового...
Первое в мире зарядное устройство с нитридом галлия мощностью 120 Вт
Компания Basel выпустила свое первое зарядное устройство с нитридом галлия в 2019 году, а в этом году популярность подобных адаптеров продолжает стремительно расти. Сегодня компания представила новое зарядное устройство Basel Galio, мощность которого составляет 120 Вт. Нитрид галлия (GaN) и карбид кремния (SiC), используемые в данном адаптере, в настоящее время являются...