- OpenAI создала консультативный совет по... (6211)
- General Motors прекращает разработку... (6569)
- Белорусский кроссовер уже покорил Москву, на... (4636)
- Доступен полнотекстовый поиск: нейросети... (3646)
- Новая модель корональных выбросов показывает... (6340)
- Volkswagen прекращает выпуск легендарного... (6027)
- Наконец-то Lada Vesta получит функции,... (4905)
- SpaceX рассказала о спутниках Starlink V3,... (3842)
- Российское производство оптоволоконных... (5735)
- Российское производство двигателя, коробки... (6072)
- Российское производство оптоволокна рухнуло... (4377)
- Samsung получит первый литограф ASML для... (4327)
- M**a снова переманила ключевого инженера... (4380)
- Путин запретил автоматические списания за... (4139)
- В Steam и других магазинах появилась... (4437)
- «Доверие мимолётно, предательство... (4710)
Нитрид галлия обещает изменение форм-фактора зарядных устройств
Дата: 2020-02-22 21:26
Подробнее на Yandex.ru
Предыдущие новости
Распродажа: В России впервые подешевел смартфон Samsung Galaxy A51
На платформе Tmall запущена акция, позволяющая приобрести смартфон Samsung Galaxy A51 заметно дешевле, чем он стоит в большинстве других магазинов. Обычная цена официального Samsung Galaxy A51 с 64 Гбайт памяти, напомним, 19 990...
Главный конкурент Xiaomi Mi 10. Мощные флагманы iQOO 3 и iQOO 3 5G представлены официально
iQOO, игровой суббренд Vivo, представил сегодня горячо ожидаемый флагманский смартфон iQOO 3 и его вариацию iQOO 3 5G. Смартфон установил новый рекорд по производительности в AnTuTu. Как объявил производитель во время онлайн-презентации, смартфон набрал в бенчмарке 610 576 баллов. Это заметно больше результатов новых флагманов Xiaomi, прозванных компанией королями...
Imec и ASML показали получение линий с шагом 24 нм с использованием EUV-литографии с одной экспозицией
На проходящей сейчас конференции SPIE Advanced Lithography Conference институт imec и компания ASML объявили о прорыве в EUV-литографии. Речь идет о формировании линий с шагом 24 нм с применением всего одной экспозиции. Линии с таким шагом соответствуют размерам критически важных металлических слоев технологического узла 3 нм, формируемых на конечной стадии полупроводникового...
Первое в мире зарядное устройство с нитридом галлия мощностью 120 Вт
Компания Basel выпустила свое первое зарядное устройство с нитридом галлия в 2019 году, а в этом году популярность подобных адаптеров продолжает стремительно расти. Сегодня компания представила новое зарядное устройство Basel Galio, мощность которого составляет 120 Вт. Нитрид галлия (GaN) и карбид кремния (SiC), используемые в данном адаптере, в настоящее время являются...