- «Я уверен, что Starship высадит людей на... (4259)
- Отечественная альтернатива Google Play: в... (4017)
- Ничего подобного в смартфонах ещё не было:... (4143)
- Кроссовер на базе Chery Tiggo 9,... (5737)
- Новая искусственная мышца может поднимать... (4913)
- Аркадный симулятор Metro Rivals: New York в... (4007)
- Дизайн этого смартфона с камерой Ricoh GR... (4377)
- Microsoft, AWS и Google переносят... (4326)
- Microsoft, AWS и Google настаивают на... (4145)
- AMD Ryzen 9 9955HX3D, 32 ГБ ОЗУ, 1 ТБ SSD,... (3731)
- Представлен Honor Robot Phone — концепт... (3869)
- Дизайн Xiaomi 17 Pro и 17 Pro Max с задним... (4055)
- OnePlus построила единственные в Китае... (3926)
- Geely обвиняет российский бензин в поломке... (4156)
- Arm объяснила, как сделать ИИ менее вредным... (7110)
- Arm считает, что перенос части... (5274)
Нитрид галлия обещает изменение форм-фактора зарядных устройств
Дата: 2020-02-22 21:26
Подробнее на Yandex.ru
Предыдущие новости
Распродажа: В России впервые подешевел смартфон Samsung Galaxy A51
На платформе Tmall запущена акция, позволяющая приобрести смартфон Samsung Galaxy A51 заметно дешевле, чем он стоит в большинстве других магазинов. Обычная цена официального Samsung Galaxy A51 с 64 Гбайт памяти, напомним, 19 990...
Главный конкурент Xiaomi Mi 10. Мощные флагманы iQOO 3 и iQOO 3 5G представлены официально
iQOO, игровой суббренд Vivo, представил сегодня горячо ожидаемый флагманский смартфон iQOO 3 и его вариацию iQOO 3 5G. Смартфон установил новый рекорд по производительности в AnTuTu. Как объявил производитель во время онлайн-презентации, смартфон набрал в бенчмарке 610 576 баллов. Это заметно больше результатов новых флагманов Xiaomi, прозванных компанией королями...
Imec и ASML показали получение линий с шагом 24 нм с использованием EUV-литографии с одной экспозицией
На проходящей сейчас конференции SPIE Advanced Lithography Conference институт imec и компания ASML объявили о прорыве в EUV-литографии. Речь идет о формировании линий с шагом 24 нм с применением всего одной экспозиции. Линии с таким шагом соответствуют размерам критически важных металлических слоев технологического узла 3 нм, формируемых на конечной стадии полупроводникового...
Первое в мире зарядное устройство с нитридом галлия мощностью 120 Вт
Компания Basel выпустила свое первое зарядное устройство с нитридом галлия в 2019 году, а в этом году популярность подобных адаптеров продолжает стремительно расти. Сегодня компания представила новое зарядное устройство Basel Galio, мощность которого составляет 120 Вт. Нитрид галлия (GaN) и карбид кремния (SiC), используемые в данном адаптере, в настоящее время являются...