- Представлен Honor Robot Phone — концепт... (3876)
- Дизайн Xiaomi 17 Pro и 17 Pro Max с задним... (4062)
- OnePlus построила единственные в Китае... (3928)
- Geely обвиняет российский бензин в поломке... (4169)
- Arm объяснила, как сделать ИИ менее вредным... (7119)
- Arm считает, что перенос части... (5286)
- Экран 1,5K OLED 165 Гц, Snapdragon 8 Elite... (3785)
- Экран 1,5K OLED 165 Гц, аккумулятор 7800... (6120)
- «Я хотел оранжевый, а не розовый iPhone».... (6172)
- В России Chery Tiggo 4 стоит 2,1 млн рублей,... (5738)
- Одни из самых надёжных внедорожников в мире.... (4166)
- BAIC начинает «перезагрузку» бренда в... (5761)
- Starship прошёл по грани: оба бака прожглись... (4247)
- Nothing рассказала, кто мешает появлению... (3761)
- Патенты Apple мешают производителям... (4639)
- Самыми популярными автомобилями с АКПП в... (4152)
Нитрид галлия обещает изменение форм-фактора зарядных устройств
Дата: 2020-02-22 21:26
Подробнее на Yandex.ru
Предыдущие новости
Распродажа: В России впервые подешевел смартфон Samsung Galaxy A51
На платформе Tmall запущена акция, позволяющая приобрести смартфон Samsung Galaxy A51 заметно дешевле, чем он стоит в большинстве других магазинов. Обычная цена официального Samsung Galaxy A51 с 64 Гбайт памяти, напомним, 19 990...
Главный конкурент Xiaomi Mi 10. Мощные флагманы iQOO 3 и iQOO 3 5G представлены официально
iQOO, игровой суббренд Vivo, представил сегодня горячо ожидаемый флагманский смартфон iQOO 3 и его вариацию iQOO 3 5G. Смартфон установил новый рекорд по производительности в AnTuTu. Как объявил производитель во время онлайн-презентации, смартфон набрал в бенчмарке 610 576 баллов. Это заметно больше результатов новых флагманов Xiaomi, прозванных компанией королями...
Imec и ASML показали получение линий с шагом 24 нм с использованием EUV-литографии с одной экспозицией
На проходящей сейчас конференции SPIE Advanced Lithography Conference институт imec и компания ASML объявили о прорыве в EUV-литографии. Речь идет о формировании линий с шагом 24 нм с применением всего одной экспозиции. Линии с таким шагом соответствуют размерам критически важных металлических слоев технологического узла 3 нм, формируемых на конечной стадии полупроводникового...
Первое в мире зарядное устройство с нитридом галлия мощностью 120 Вт
Компания Basel выпустила свое первое зарядное устройство с нитридом галлия в 2019 году, а в этом году популярность подобных адаптеров продолжает стремительно расти. Сегодня компания представила новое зарядное устройство Basel Galio, мощность которого составляет 120 Вт. Нитрид галлия (GaN) и карбид кремния (SiC), используемые в данном адаптере, в настоящее время являются...