- Смартфон Realme GT 8 Pro получит... (3983)
- Количество просмотров Rutube из-за рубежа с... (4519)
- Почти такой же тонкий, как iPhone Air, но с... (4140)
- В Интернете уже половина статей написана ИИ,... (4501)
- Создатели ремейка Demon’s Souls взялись за... (4607)
- Samsung выпустила важное обновление для... (4701)
- В России продают Lada Granta с разгоном до... (4215)
- Xiaomi выпустила финальную HyperOS 3 на... (4287)
- Этот процесс уже не остановить: теперь и... (4300)
- 120 Гц, 7000 мА·ч, быстрая зарядка,... (6851)
- Американская легенда в продаже в России:... (4436)
- Семиместный Volkswagen Touran в России... (3877)
- Спросить прямо у Gemini: Google запустил... (3727)
- HP показала ноутбук Omen 16 для фанатов... (4138)
- Vivo представила беспроводные наушники TWS 5... (4806)
- Экран 165 Гц, 7650 мАч и 100 Вт. OnePlus... (5018)
Нитрид галлия обещает изменение форм-фактора зарядных устройств
Дата: 2020-02-22 21:26
Подробнее на Yandex.ru
Предыдущие новости
Распродажа: В России впервые подешевел смартфон Samsung Galaxy A51
На платформе Tmall запущена акция, позволяющая приобрести смартфон Samsung Galaxy A51 заметно дешевле, чем он стоит в большинстве других магазинов. Обычная цена официального Samsung Galaxy A51 с 64 Гбайт памяти, напомним, 19 990...
Главный конкурент Xiaomi Mi 10. Мощные флагманы iQOO 3 и iQOO 3 5G представлены официально
iQOO, игровой суббренд Vivo, представил сегодня горячо ожидаемый флагманский смартфон iQOO 3 и его вариацию iQOO 3 5G. Смартфон установил новый рекорд по производительности в AnTuTu. Как объявил производитель во время онлайн-презентации, смартфон набрал в бенчмарке 610 576 баллов. Это заметно больше результатов новых флагманов Xiaomi, прозванных компанией королями...
Imec и ASML показали получение линий с шагом 24 нм с использованием EUV-литографии с одной экспозицией
На проходящей сейчас конференции SPIE Advanced Lithography Conference институт imec и компания ASML объявили о прорыве в EUV-литографии. Речь идет о формировании линий с шагом 24 нм с применением всего одной экспозиции. Линии с таким шагом соответствуют размерам критически важных металлических слоев технологического узла 3 нм, формируемых на конечной стадии полупроводникового...
Первое в мире зарядное устройство с нитридом галлия мощностью 120 Вт
Компания Basel выпустила свое первое зарядное устройство с нитридом галлия в 2019 году, а в этом году популярность подобных адаптеров продолжает стремительно расти. Сегодня компания представила новое зарядное устройство Basel Galio, мощность которого составляет 120 Вт. Нитрид галлия (GaN) и карбид кремния (SiC), используемые в данном адаптере, в настоящее время являются...