- «Все основные цели полёта были достигнуты».... (3860)
- Оператор «СберМобайл» подключил уже 4,6 млн... (3954)
- Li Auto L9 — 5,9 млн рублей, Li L7 Ultra —... (4262)
- ИИ-анализ цен со всего Рунета: Яндекс... (3906)
- Fujifilm представила гибридную камеру Instax... (5894)
- «В наши дни открытый мир — уже почти клише»:... (5324)
- Хакеры научились похищать коды 2FA и личные... (4641)
- В Китае начали массово выпускать квантовые... (4469)
- Samsung старается изо всех сил: сразу 8... (4615)
- «Нервная система» ИИ-фабрик: M**a и Oracle... (4983)
- Прототипы флагманского внедорожника Xiaomi... (5129)
- Apple создала ИИ, который генерирует тексты... (5872)
- CD Projekt Red отправила «Ведьмака» в... (4904)
- EHang представила «летающую маршрутку» VT35... (4271)
- Intel и AMD отметили год совместной работы ... (4055)
- Акции Broadcom взлетели в цене на 9 % после... (5283)
Нитрид галлия обещает изменение форм-фактора зарядных устройств
Дата: 2020-02-22 21:26
Подробнее на Yandex.ru
Предыдущие новости
Распродажа: В России впервые подешевел смартфон Samsung Galaxy A51
На платформе Tmall запущена акция, позволяющая приобрести смартфон Samsung Galaxy A51 заметно дешевле, чем он стоит в большинстве других магазинов. Обычная цена официального Samsung Galaxy A51 с 64 Гбайт памяти, напомним, 19 990...
Главный конкурент Xiaomi Mi 10. Мощные флагманы iQOO 3 и iQOO 3 5G представлены официально
iQOO, игровой суббренд Vivo, представил сегодня горячо ожидаемый флагманский смартфон iQOO 3 и его вариацию iQOO 3 5G. Смартфон установил новый рекорд по производительности в AnTuTu. Как объявил производитель во время онлайн-презентации, смартфон набрал в бенчмарке 610 576 баллов. Это заметно больше результатов новых флагманов Xiaomi, прозванных компанией королями...
Imec и ASML показали получение линий с шагом 24 нм с использованием EUV-литографии с одной экспозицией
На проходящей сейчас конференции SPIE Advanced Lithography Conference институт imec и компания ASML объявили о прорыве в EUV-литографии. Речь идет о формировании линий с шагом 24 нм с применением всего одной экспозиции. Линии с таким шагом соответствуют размерам критически важных металлических слоев технологического узла 3 нм, формируемых на конечной стадии полупроводникового...
Первое в мире зарядное устройство с нитридом галлия мощностью 120 Вт
Компания Basel выпустила свое первое зарядное устройство с нитридом галлия в 2019 году, а в этом году популярность подобных адаптеров продолжает стремительно расти. Сегодня компания представила новое зарядное устройство Basel Galio, мощность которого составляет 120 Вт. Нитрид галлия (GaN) и карбид кремния (SiC), используемые в данном адаптере, в настоящее время являются...