- Автомобильный коллапс: в порту и на... (5248)
- Автомобильный коллапс: в порту и на... (5873)
- Москвичи распробовали белорусские... (4685)
- Повышение цен на машины с 1 ноября 2025... (5850)
- Новый патч для Hollow Knight: Silksong... (5637)
- Один из крупнейших протуберанцев 2025 года... (5576)
- В России создают новую платёжную систему без... (4163)
- Nvidia запустила продажи DGX Spark... (5340)
- Microsoft представила первый ИИ-генератор... (4504)
- Абсолютно новый Kia Tasman не оправдал... (4178)
- SpaceX снова запустила Starship — полёт... (4418)
- Конец эпохи: Microsoft прекратила поддержку... (4488)
- В России открыт предзаказ на планшет Huawei... (6263)
- Мультимедиа Toyota нового поколения... (5424)
- NASA вскрыло образцы лунного грунта,... (5580)
- Toshiba протестировала первый в мире жёсткий... (5002)
Нитрид галлия обещает изменение форм-фактора зарядных устройств
Дата: 2020-02-22 21:26
Подробнее на Yandex.ru
Предыдущие новости
Распродажа: В России впервые подешевел смартфон Samsung Galaxy A51
На платформе Tmall запущена акция, позволяющая приобрести смартфон Samsung Galaxy A51 заметно дешевле, чем он стоит в большинстве других магазинов. Обычная цена официального Samsung Galaxy A51 с 64 Гбайт памяти, напомним, 19 990...
Главный конкурент Xiaomi Mi 10. Мощные флагманы iQOO 3 и iQOO 3 5G представлены официально
iQOO, игровой суббренд Vivo, представил сегодня горячо ожидаемый флагманский смартфон iQOO 3 и его вариацию iQOO 3 5G. Смартфон установил новый рекорд по производительности в AnTuTu. Как объявил производитель во время онлайн-презентации, смартфон набрал в бенчмарке 610 576 баллов. Это заметно больше результатов новых флагманов Xiaomi, прозванных компанией королями...
Imec и ASML показали получение линий с шагом 24 нм с использованием EUV-литографии с одной экспозицией
На проходящей сейчас конференции SPIE Advanced Lithography Conference институт imec и компания ASML объявили о прорыве в EUV-литографии. Речь идет о формировании линий с шагом 24 нм с применением всего одной экспозиции. Линии с таким шагом соответствуют размерам критически важных металлических слоев технологического узла 3 нм, формируемых на конечной стадии полупроводникового...
Первое в мире зарядное устройство с нитридом галлия мощностью 120 Вт
Компания Basel выпустила свое первое зарядное устройство с нитридом галлия в 2019 году, а в этом году популярность подобных адаптеров продолжает стремительно расти. Сегодня компания представила новое зарядное устройство Basel Galio, мощность которого составляет 120 Вт. Нитрид галлия (GaN) и карбид кремния (SiC), используемые в данном адаптере, в настоящее время являются...