- Samsung стала партнёром Nvidia по интеграции... (6092)
- 9000 мАч, 100 Вт, IP68/69 и OLED-дисплей со... (5342)
- Apple всё ещё зависит от китайского... (5879)
- Microsoft прекратила поддержку Windows... (4834)
- Первый в истории смартфон с камерой,... (5551)
- Первый в истории смартфон с камерой,... (6095)
- Не только Starlink: SpaceX вывела на орбиту... (4437)
- 20-ядерный CPU и Nvidia Blackwell, 128 ГБ... (5497)
- Intel запустила реорганизацию после ухода... (4325)
- Уход руководителя по разработкам платформ... (4532)
- В Chevrolet Tahoe 2026 добавили возможность... (6533)
- Новый мотор «и другие значительные... (4486)
- Новый мотор «и другие значительные... (5984)
- Насколько большим будет новое поколение... (5110)
- SpaceX строит одновременно несколько... (5031)
- «Сами не успели понять, что произошло».... (4351)
Нитрид галлия обещает изменение форм-фактора зарядных устройств
Дата: 2020-02-22 21:26
Подробнее на Yandex.ru
Предыдущие новости
Распродажа: В России впервые подешевел смартфон Samsung Galaxy A51
На платформе Tmall запущена акция, позволяющая приобрести смартфон Samsung Galaxy A51 заметно дешевле, чем он стоит в большинстве других магазинов. Обычная цена официального Samsung Galaxy A51 с 64 Гбайт памяти, напомним, 19 990...
Главный конкурент Xiaomi Mi 10. Мощные флагманы iQOO 3 и iQOO 3 5G представлены официально
iQOO, игровой суббренд Vivo, представил сегодня горячо ожидаемый флагманский смартфон iQOO 3 и его вариацию iQOO 3 5G. Смартфон установил новый рекорд по производительности в AnTuTu. Как объявил производитель во время онлайн-презентации, смартфон набрал в бенчмарке 610 576 баллов. Это заметно больше результатов новых флагманов Xiaomi, прозванных компанией королями...
Imec и ASML показали получение линий с шагом 24 нм с использованием EUV-литографии с одной экспозицией
На проходящей сейчас конференции SPIE Advanced Lithography Conference институт imec и компания ASML объявили о прорыве в EUV-литографии. Речь идет о формировании линий с шагом 24 нм с применением всего одной экспозиции. Линии с таким шагом соответствуют размерам критически важных металлических слоев технологического узла 3 нм, формируемых на конечной стадии полупроводникового...
Первое в мире зарядное устройство с нитридом галлия мощностью 120 Вт
Компания Basel выпустила свое первое зарядное устройство с нитридом галлия в 2019 году, а в этом году популярность подобных адаптеров продолжает стремительно расти. Сегодня компания представила новое зарядное устройство Basel Galio, мощность которого составляет 120 Вт. Нитрид галлия (GaN) и карбид кремния (SiC), используемые в данном адаптере, в настоящее время являются...