- Этот процесс уже не остановить: теперь и... (4311)
- 120 Гц, 7000 мА·ч, быстрая зарядка,... (6863)
- Американская легенда в продаже в России:... (4440)
- Семиместный Volkswagen Touran в России... (3878)
- Спросить прямо у Gemini: Google запустил... (3730)
- HP показала ноутбук Omen 16 для фанатов... (4149)
- Vivo представила беспроводные наушники TWS 5... (4809)
- Экран 165 Гц, 7650 мАч и 100 Вт. OnePlus... (5030)
- Экран 165 Гц, 7650 мАч и 100 Вт. OneOplus... (4220)
- «Ситидрайв» внедрил «Адвоката клиента» для... (4532)
- «Все основные цели полёта были достигнуты».... (3862)
- Оператор «СберМобайл» подключил уже 4,6 млн... (3958)
- Li Auto L9 — 5,9 млн рублей, Li L7 Ultra —... (4268)
- ИИ-анализ цен со всего Рунета: Яндекс... (3911)
- Fujifilm представила гибридную камеру Instax... (5900)
- «В наши дни открытый мир — уже почти клише»:... (5328)
Нитрид галлия обещает изменение форм-фактора зарядных устройств
Дата: 2020-02-22 21:26
Подробнее на Yandex.ru
Предыдущие новости
Распродажа: В России впервые подешевел смартфон Samsung Galaxy A51
На платформе Tmall запущена акция, позволяющая приобрести смартфон Samsung Galaxy A51 заметно дешевле, чем он стоит в большинстве других магазинов. Обычная цена официального Samsung Galaxy A51 с 64 Гбайт памяти, напомним, 19 990...
Главный конкурент Xiaomi Mi 10. Мощные флагманы iQOO 3 и iQOO 3 5G представлены официально
iQOO, игровой суббренд Vivo, представил сегодня горячо ожидаемый флагманский смартфон iQOO 3 и его вариацию iQOO 3 5G. Смартфон установил новый рекорд по производительности в AnTuTu. Как объявил производитель во время онлайн-презентации, смартфон набрал в бенчмарке 610 576 баллов. Это заметно больше результатов новых флагманов Xiaomi, прозванных компанией королями...
Imec и ASML показали получение линий с шагом 24 нм с использованием EUV-литографии с одной экспозицией
На проходящей сейчас конференции SPIE Advanced Lithography Conference институт imec и компания ASML объявили о прорыве в EUV-литографии. Речь идет о формировании линий с шагом 24 нм с применением всего одной экспозиции. Линии с таким шагом соответствуют размерам критически важных металлических слоев технологического узла 3 нм, формируемых на конечной стадии полупроводникового...
Первое в мире зарядное устройство с нитридом галлия мощностью 120 Вт
Компания Basel выпустила свое первое зарядное устройство с нитридом галлия в 2019 году, а в этом году популярность подобных адаптеров продолжает стремительно расти. Сегодня компания представила новое зарядное устройство Basel Galio, мощность которого составляет 120 Вт. Нитрид галлия (GaN) и карбид кремния (SiC), используемые в данном адаптере, в настоящее время являются...