- Nvidia выпустила драйвер с поддержкой ARC... (4850)
- В спутниковой связи не оказалось... (4336)
- Иностранные SIM-карты переохладили:... (4745)
- Ключевая для NASA лаборатория потеряла 10 %... (5086)
- ASML показала 20-летний рекорд выручки за... (5021)
- Надёжный инсайдер рассекретил дату выхода и... (4410)
- Смартфоны Samsung начнут притормаживать... (4024)
- Экран без вырезов, 35-миллиметровая камера,... (4247)
- Смартфон Realme GT 8 Pro получит... (3989)
- Количество просмотров Rutube из-за рубежа с... (4524)
- Почти такой же тонкий, как iPhone Air, но с... (4148)
- В Интернете уже половина статей написана ИИ,... (4504)
- Создатели ремейка Demon’s Souls взялись за... (4614)
- Samsung выпустила важное обновление для... (4712)
- В России продают Lada Granta с разгоном до... (4219)
- Xiaomi выпустила финальную HyperOS 3 на... (4291)
Нитрид галлия обещает изменение форм-фактора зарядных устройств
Дата: 2020-02-22 21:26
Подробнее на Yandex.ru
Предыдущие новости
Распродажа: В России впервые подешевел смартфон Samsung Galaxy A51
На платформе Tmall запущена акция, позволяющая приобрести смартфон Samsung Galaxy A51 заметно дешевле, чем он стоит в большинстве других магазинов. Обычная цена официального Samsung Galaxy A51 с 64 Гбайт памяти, напомним, 19 990...
Главный конкурент Xiaomi Mi 10. Мощные флагманы iQOO 3 и iQOO 3 5G представлены официально
iQOO, игровой суббренд Vivo, представил сегодня горячо ожидаемый флагманский смартфон iQOO 3 и его вариацию iQOO 3 5G. Смартфон установил новый рекорд по производительности в AnTuTu. Как объявил производитель во время онлайн-презентации, смартфон набрал в бенчмарке 610 576 баллов. Это заметно больше результатов новых флагманов Xiaomi, прозванных компанией королями...
Imec и ASML показали получение линий с шагом 24 нм с использованием EUV-литографии с одной экспозицией
На проходящей сейчас конференции SPIE Advanced Lithography Conference институт imec и компания ASML объявили о прорыве в EUV-литографии. Речь идет о формировании линий с шагом 24 нм с применением всего одной экспозиции. Линии с таким шагом соответствуют размерам критически важных металлических слоев технологического узла 3 нм, формируемых на конечной стадии полупроводникового...
Первое в мире зарядное устройство с нитридом галлия мощностью 120 Вт
Компания Basel выпустила свое первое зарядное устройство с нитридом галлия в 2019 году, а в этом году популярность подобных адаптеров продолжает стремительно расти. Сегодня компания представила новое зарядное устройство Basel Galio, мощность которого составляет 120 Вт. Нитрид галлия (GaN) и карбид кремния (SiC), используемые в данном адаптере, в настоящее время являются...