- Популярное направление: ИИ перетянул на себя... (6797)
- Направление ИИ оттягивает на себя... (5624)
- Россияне активно завозят Toyota, Volkswagen... (6433)
- Xiaomi 17T и 17T Pro ожидаются уже в начале... (7041)
- Дефицит флеш-памяти NAND станет нормой в... (5820)
- Дефицит памяти типа NAND станет нормой в... (5611)
- Выручка Foxconn оказался рекордной, но... (6728)
- Возрождение Jeep, Dodge и RAM: Stellantis... (6740)
- Комета C/2025 A6 Lemmon не видна... (6602)
- SpaceX выполнит большинство запусков в... (6554)
- Grok Imagine Илона Маска получил «большое... (5283)
- «Геоскан» и «Гонец» успешно испытали... (5193)
- Аналог Dynamic Island в iPhone: Xiaomi... (6723)
- Foxconn показала рекордную квартальную... (5733)
- В Microsoft ответили на слухи о сворачивании... (5906)
- Новым главой Apple после ухода Тима Кука... (7009)
Нитрид галлия обещает изменение форм-фактора зарядных устройств
Дата: 2020-02-22 21:26
Подробнее на Yandex.ru
Предыдущие новости
Распродажа: В России впервые подешевел смартфон Samsung Galaxy A51
На платформе Tmall запущена акция, позволяющая приобрести смартфон Samsung Galaxy A51 заметно дешевле, чем он стоит в большинстве других магазинов. Обычная цена официального Samsung Galaxy A51 с 64 Гбайт памяти, напомним, 19 990...
Главный конкурент Xiaomi Mi 10. Мощные флагманы iQOO 3 и iQOO 3 5G представлены официально
iQOO, игровой суббренд Vivo, представил сегодня горячо ожидаемый флагманский смартфон iQOO 3 и его вариацию iQOO 3 5G. Смартфон установил новый рекорд по производительности в AnTuTu. Как объявил производитель во время онлайн-презентации, смартфон набрал в бенчмарке 610 576 баллов. Это заметно больше результатов новых флагманов Xiaomi, прозванных компанией королями...
Imec и ASML показали получение линий с шагом 24 нм с использованием EUV-литографии с одной экспозицией
На проходящей сейчас конференции SPIE Advanced Lithography Conference институт imec и компания ASML объявили о прорыве в EUV-литографии. Речь идет о формировании линий с шагом 24 нм с применением всего одной экспозиции. Линии с таким шагом соответствуют размерам критически важных металлических слоев технологического узла 3 нм, формируемых на конечной стадии полупроводникового...
Первое в мире зарядное устройство с нитридом галлия мощностью 120 Вт
Компания Basel выпустила свое первое зарядное устройство с нитридом галлия в 2019 году, а в этом году популярность подобных адаптеров продолжает стремительно расти. Сегодня компания представила новое зарядное устройство Basel Galio, мощность которого составляет 120 Вт. Нитрид галлия (GaN) и карбид кремния (SiC), используемые в данном адаптере, в настоящее время являются...