- Arm нацелилась на доминирование в... (1432)
- Arm уверена, что в серверном сегменте... (2100)
- Новая статья: Обзор смартфона nubia Z80... (1869)
- Новая статья: ИИтоги апреля 2026 г.:... (2265)
- Unitree открыла первый в мире магазин... (2153)
- ИИ-воронка затягивает всё больше... (1821)
- Уютный градостроительный симулятор Town to... (1557)
- В этом году в Приморском крае начнут... (1799)
- Nvidia подтвердила утечку данных... (1465)
- Рождение новой SpaceX? Инвесторы с Reddit... (1582)
- MaxSun выпустила новые MoDT-платы с... (1671)
- Ветеран Epic Games взялся за европейскую... (1338)
- Google привязала reCAPTCHA к Play Services и... (1935)
- Samsung расширила группу по созданию... (1684)
- Nvidia в этом году потратила на покупку... (1368)
- Стали известны подробности о будущих... (1972)
Раскрыты сроки выхода Apple MacBook на процессорах «для смартфонов»
Дата: 2020-02-25 10:59
Подробнее на Yandex.ru
Предыдущие новости
Нитрид галлия обещает изменение форм-фактора зарядных устройств
Производство нового зарядного устройства для смартфонов мощностью 65 Вт, использующего нитрид галлия (GaN) и имеющего существенно меньшие размеры по отношению к своим аналогам, запустила компания Xiaomi, пишет портал ixbt.com 22 февраля со ссылкой на китайский сайт...
Распродажа: В России впервые подешевел смартфон Samsung Galaxy A51
На платформе Tmall запущена акция, позволяющая приобрести смартфон Samsung Galaxy A51 заметно дешевле, чем он стоит в большинстве других магазинов. Обычная цена официального Samsung Galaxy A51 с 64 Гбайт памяти, напомним, 19 990...
Главный конкурент Xiaomi Mi 10. Мощные флагманы iQOO 3 и iQOO 3 5G представлены официально
iQOO, игровой суббренд Vivo, представил сегодня горячо ожидаемый флагманский смартфон iQOO 3 и его вариацию iQOO 3 5G. Смартфон установил новый рекорд по производительности в AnTuTu. Как объявил производитель во время онлайн-презентации, смартфон набрал в бенчмарке 610 576 баллов. Это заметно больше результатов новых флагманов Xiaomi, прозванных компанией королями...
Imec и ASML показали получение линий с шагом 24 нм с использованием EUV-литографии с одной экспозицией
На проходящей сейчас конференции SPIE Advanced Lithography Conference институт imec и компания ASML объявили о прорыве в EUV-литографии. Речь идет о формировании линий с шагом 24 нм с применением всего одной экспозиции. Линии с таким шагом соответствуют размерам критически важных металлических слоев технологического узла 3 нм, формируемых на конечной стадии полупроводникового...