- DJI поторопила власти США с аудитом — иначе... (971)
- Редчайшая «пятёрка» мощностью 220 л.с.:... (948)
- В отечественном мессенджере Max можно задать... (985)
- Представлен новый Toyota... (984)
- УАЗ ставит точку в вопросе... (997)
- Инсайдер раскрыл подробности отменённого... (902)
- Хуанг бьёт тревогу: Китай может стать... (925)
- Роскомнадзор резко расширил борьбу с VPN... (976)
- Hi-Fi Rush спустя почти три года после... (1390)
- Samsung анонсировала презентацию «Первый... (1147)
- После отказа Apple Индия отказалась от... (915)
- M**a переманила из Apple создателя Liquid... (987)
- Сэм Альтман пытался заполучить амбициозного... (1081)
- Таких событий на небе в текущем столетии... (906)
- В России начали блокировать... (1032)
- Роскомнадзор объявил о начале блокировки... (1008)
Раскрыты сроки выхода Apple MacBook на процессорах «для смартфонов»
Дата: 2020-02-25 10:59
Подробнее на Yandex.ru
Предыдущие новости
Нитрид галлия обещает изменение форм-фактора зарядных устройств
Производство нового зарядного устройства для смартфонов мощностью 65 Вт, использующего нитрид галлия (GaN) и имеющего существенно меньшие размеры по отношению к своим аналогам, запустила компания Xiaomi, пишет портал ixbt.com 22 февраля со ссылкой на китайский сайт...
Распродажа: В России впервые подешевел смартфон Samsung Galaxy A51
На платформе Tmall запущена акция, позволяющая приобрести смартфон Samsung Galaxy A51 заметно дешевле, чем он стоит в большинстве других магазинов. Обычная цена официального Samsung Galaxy A51 с 64 Гбайт памяти, напомним, 19 990...
Главный конкурент Xiaomi Mi 10. Мощные флагманы iQOO 3 и iQOO 3 5G представлены официально
iQOO, игровой суббренд Vivo, представил сегодня горячо ожидаемый флагманский смартфон iQOO 3 и его вариацию iQOO 3 5G. Смартфон установил новый рекорд по производительности в AnTuTu. Как объявил производитель во время онлайн-презентации, смартфон набрал в бенчмарке 610 576 баллов. Это заметно больше результатов новых флагманов Xiaomi, прозванных компанией королями...
Imec и ASML показали получение линий с шагом 24 нм с использованием EUV-литографии с одной экспозицией
На проходящей сейчас конференции SPIE Advanced Lithography Conference институт imec и компания ASML объявили о прорыве в EUV-литографии. Речь идет о формировании линий с шагом 24 нм с применением всего одной экспозиции. Линии с таким шагом соответствуют размерам критически важных металлических слоев технологического узла 3 нм, формируемых на конечной стадии полупроводникового...