- Инсайдер раскрыл подробности отменённого... (904)
- Хуанг бьёт тревогу: Китай может стать... (928)
- Роскомнадзор резко расширил борьбу с VPN... (977)
- Hi-Fi Rush спустя почти три года после... (1395)
- Samsung анонсировала презентацию «Первый... (1149)
- После отказа Apple Индия отказалась от... (918)
- M**a переманила из Apple создателя Liquid... (988)
- Сэм Альтман пытался заполучить амбициозного... (1083)
- Таких событий на небе в текущем столетии... (909)
- В России начали блокировать... (1037)
- Роскомнадзор объявил о начале блокировки... (1010)
- Infinix выпустит новую линейку премиальных... (1193)
- Lada Aura с заводским ГБО вышла на... (1227)
- Физики научились «картографировать»... (855)
- У умной туалетной камеры Kohler Dekoda со... (1087)
- В России запустили автоматизированное... (1138)
Раскрыты сроки выхода Apple MacBook на процессорах «для смартфонов»
Дата: 2020-02-25 10:59
Подробнее на Yandex.ru
Предыдущие новости
Нитрид галлия обещает изменение форм-фактора зарядных устройств
Производство нового зарядного устройства для смартфонов мощностью 65 Вт, использующего нитрид галлия (GaN) и имеющего существенно меньшие размеры по отношению к своим аналогам, запустила компания Xiaomi, пишет портал ixbt.com 22 февраля со ссылкой на китайский сайт...
Распродажа: В России впервые подешевел смартфон Samsung Galaxy A51
На платформе Tmall запущена акция, позволяющая приобрести смартфон Samsung Galaxy A51 заметно дешевле, чем он стоит в большинстве других магазинов. Обычная цена официального Samsung Galaxy A51 с 64 Гбайт памяти, напомним, 19 990...
Главный конкурент Xiaomi Mi 10. Мощные флагманы iQOO 3 и iQOO 3 5G представлены официально
iQOO, игровой суббренд Vivo, представил сегодня горячо ожидаемый флагманский смартфон iQOO 3 и его вариацию iQOO 3 5G. Смартфон установил новый рекорд по производительности в AnTuTu. Как объявил производитель во время онлайн-презентации, смартфон набрал в бенчмарке 610 576 баллов. Это заметно больше результатов новых флагманов Xiaomi, прозванных компанией королями...
Imec и ASML показали получение линий с шагом 24 нм с использованием EUV-литографии с одной экспозицией
На проходящей сейчас конференции SPIE Advanced Lithography Conference институт imec и компания ASML объявили о прорыве в EUV-литографии. Речь идет о формировании линий с шагом 24 нм с применением всего одной экспозиции. Линии с таким шагом соответствуют размерам критически важных металлических слоев технологического узла 3 нм, формируемых на конечной стадии полупроводникового...