- В Китае перестали выдавать лицензии... (2920)
- В Китае построят мощнейший в мире... (2972)
- В Apple iOS 27 появятся ИИ-инструменты для... (2939)
- Выход DeepSeek V4 взвинтил спрос на... (2642)
- Еврокомиссия обвинила M**a в неспособности... (2529)
- Разработчики пиратского экшена Windrose... (3132)
- NPC в Gothic Remake будут относиться к... (3100)
- DDR4 подешевела на спотовом рынке, но... (3111)
- Одна кибератака может стоить бизнесу до 50... (2869)
- Российские компании начали судиться с... (3338)
- Zoox: параллелепипед — идеальная форма... (3002)
- [Обновлено] Легендарный производитель... (3646)
- Легендарный производитель видеокарт Galax... (2642)
- Глава Take-Two намекнул на цену GTA VI и дал... (3089)
- Опубликована подробная инструкция по... (2841)
- NASA испытало мощнейший в мире... (2663)
Раскрыты сроки выхода Apple MacBook на процессорах «для смартфонов»
Дата: 2020-02-25 10:59
Подробнее на Yandex.ru
Предыдущие новости
Нитрид галлия обещает изменение форм-фактора зарядных устройств
Производство нового зарядного устройства для смартфонов мощностью 65 Вт, использующего нитрид галлия (GaN) и имеющего существенно меньшие размеры по отношению к своим аналогам, запустила компания Xiaomi, пишет портал ixbt.com 22 февраля со ссылкой на китайский сайт...
Распродажа: В России впервые подешевел смартфон Samsung Galaxy A51
На платформе Tmall запущена акция, позволяющая приобрести смартфон Samsung Galaxy A51 заметно дешевле, чем он стоит в большинстве других магазинов. Обычная цена официального Samsung Galaxy A51 с 64 Гбайт памяти, напомним, 19 990...
Главный конкурент Xiaomi Mi 10. Мощные флагманы iQOO 3 и iQOO 3 5G представлены официально
iQOO, игровой суббренд Vivo, представил сегодня горячо ожидаемый флагманский смартфон iQOO 3 и его вариацию iQOO 3 5G. Смартфон установил новый рекорд по производительности в AnTuTu. Как объявил производитель во время онлайн-презентации, смартфон набрал в бенчмарке 610 576 баллов. Это заметно больше результатов новых флагманов Xiaomi, прозванных компанией королями...
Imec и ASML показали получение линий с шагом 24 нм с использованием EUV-литографии с одной экспозицией
На проходящей сейчас конференции SPIE Advanced Lithography Conference институт imec и компания ASML объявили о прорыве в EUV-литографии. Речь идет о формировании линий с шагом 24 нм с применением всего одной экспозиции. Линии с таким шагом соответствуют размерам критически важных металлических слоев технологического узла 3 нм, формируемых на конечной стадии полупроводникового...