- Норвежцы придумали опустить опреснители на... (2128)
- «До чего удручающее начало года»: Sony... (2067)
- Финальная распродажа Kaiyi в России: скидки... (2395)
- Опубликованы живые фото нового Renault... (1924)
- «Дни хороших бесплатных игр остались в... (2269)
- Space Forge запустила космическую печь для... (1914)
- Китайская ByteDance, владеющая TikTok, купит... (2003)
- Ryzen 7 9800X3D хорошо «умирает», но и... (2642)
- Власти Нидерландов захватили «дочку»... (5323)
- Режим чтения в Google Chrome для Android... (2700)
- MSI возвращает культовую линейку видеокарт... (2763)
- Нужно ещё больше памяти для новых... (2249)
- Началось: Asus поднимает цены на свои... (2207)
- Пользователь подал 1350 Вт мощности на... (2988)
- Пользователь подал 1350 Вт мощности на... (2104)
- С Новым, 2026 (2202)
Раскрыты сроки выхода Apple MacBook на процессорах «для смартфонов»
Дата: 2020-02-25 10:59
Подробнее на Yandex.ru
Предыдущие новости
Нитрид галлия обещает изменение форм-фактора зарядных устройств
Производство нового зарядного устройства для смартфонов мощностью 65 Вт, использующего нитрид галлия (GaN) и имеющего существенно меньшие размеры по отношению к своим аналогам, запустила компания Xiaomi, пишет портал ixbt.com 22 февраля со ссылкой на китайский сайт...
Распродажа: В России впервые подешевел смартфон Samsung Galaxy A51
На платформе Tmall запущена акция, позволяющая приобрести смартфон Samsung Galaxy A51 заметно дешевле, чем он стоит в большинстве других магазинов. Обычная цена официального Samsung Galaxy A51 с 64 Гбайт памяти, напомним, 19 990...
Главный конкурент Xiaomi Mi 10. Мощные флагманы iQOO 3 и iQOO 3 5G представлены официально
iQOO, игровой суббренд Vivo, представил сегодня горячо ожидаемый флагманский смартфон iQOO 3 и его вариацию iQOO 3 5G. Смартфон установил новый рекорд по производительности в AnTuTu. Как объявил производитель во время онлайн-презентации, смартфон набрал в бенчмарке 610 576 баллов. Это заметно больше результатов новых флагманов Xiaomi, прозванных компанией королями...
Imec и ASML показали получение линий с шагом 24 нм с использованием EUV-литографии с одной экспозицией
На проходящей сейчас конференции SPIE Advanced Lithography Conference институт imec и компания ASML объявили о прорыве в EUV-литографии. Речь идет о формировании линий с шагом 24 нм с применением всего одной экспозиции. Линии с таким шагом соответствуют размерам критически важных металлических слоев технологического узла 3 нм, формируемых на конечной стадии полупроводникового...