- Space Forge запустила космическую печь для... (1922)
- Китайская ByteDance, владеющая TikTok, купит... (2008)
- Ryzen 7 9800X3D хорошо «умирает», но и... (2651)
- Власти Нидерландов захватили «дочку»... (5345)
- Режим чтения в Google Chrome для Android... (2714)
- MSI возвращает культовую линейку видеокарт... (2773)
- Нужно ещё больше памяти для новых... (2260)
- Началось: Asus поднимает цены на свои... (2212)
- Пользователь подал 1350 Вт мощности на... (3035)
- Пользователь подал 1350 Вт мощности на... (2112)
- С Новым, 2026 (2212)
- С Новым 2026 (2482)
- Израиль первым в мире принял на вооружение... (2208)
- Инсайдер раскрыл улучшения камеры Samsung... (2042)
- Ryzen 9800X3D умирают даже чаще, чем сгорают... (2683)
- Первый смартфон Трампа откладывается на 2026... (2251)
Раскрыты сроки выхода Apple MacBook на процессорах «для смартфонов»
Дата: 2020-02-25 10:59
Подробнее на Yandex.ru
Предыдущие новости
Нитрид галлия обещает изменение форм-фактора зарядных устройств
Производство нового зарядного устройства для смартфонов мощностью 65 Вт, использующего нитрид галлия (GaN) и имеющего существенно меньшие размеры по отношению к своим аналогам, запустила компания Xiaomi, пишет портал ixbt.com 22 февраля со ссылкой на китайский сайт...
Распродажа: В России впервые подешевел смартфон Samsung Galaxy A51
На платформе Tmall запущена акция, позволяющая приобрести смартфон Samsung Galaxy A51 заметно дешевле, чем он стоит в большинстве других магазинов. Обычная цена официального Samsung Galaxy A51 с 64 Гбайт памяти, напомним, 19 990...
Главный конкурент Xiaomi Mi 10. Мощные флагманы iQOO 3 и iQOO 3 5G представлены официально
iQOO, игровой суббренд Vivo, представил сегодня горячо ожидаемый флагманский смартфон iQOO 3 и его вариацию iQOO 3 5G. Смартфон установил новый рекорд по производительности в AnTuTu. Как объявил производитель во время онлайн-презентации, смартфон набрал в бенчмарке 610 576 баллов. Это заметно больше результатов новых флагманов Xiaomi, прозванных компанией королями...
Imec и ASML показали получение линий с шагом 24 нм с использованием EUV-литографии с одной экспозицией
На проходящей сейчас конференции SPIE Advanced Lithography Conference институт imec и компания ASML объявили о прорыве в EUV-литографии. Речь идет о формировании линий с шагом 24 нм с применением всего одной экспозиции. Линии с таким шагом соответствуют размерам критически важных металлических слоев технологического узла 3 нм, формируемых на конечной стадии полупроводникового...