- Мегафабрика Terafab Илона Маска будет... (4036)
- Как на Татуине: индийская Uravu будет... (4181)
- Утечка: кадры со съёмок экранизации Elden... (4446)
- Chuwi представила мощный мини-ПК AuBox X на... (3914)
- «Есть и хорошая новость»: Ubisoft... (4103)
- TSMC откладывает High-NA EUV-литографию:... (5008)
- TSMC заявила о готовности освоить... (4301)
- ИИ-ассистент Google Gemini начал делать... (4309)
- Выручка Tesla выросла на 16 % в первом... (4146)
- JEDEC раскрыла планы по LPDDR6: модули до... (4067)
- JEDEC анонсировала LPDDR6 с плотностью до... (4306)
- Apple исправила уязвимость iOS 26,... (4365)
- Apple выпустила внеплановые обновления iOS... (4174)
- SK hynix утроила выручку и увеличила прибыль... (4244)
- SK hynix смогла по итогам первого квартала... (4218)
- Новая статья: Да воссияет... (6355)
Раскрыты сроки выхода Apple MacBook на процессорах «для смартфонов»
Дата: 2020-02-25 10:59
Подробнее на Yandex.ru
Предыдущие новости
Нитрид галлия обещает изменение форм-фактора зарядных устройств
Производство нового зарядного устройства для смартфонов мощностью 65 Вт, использующего нитрид галлия (GaN) и имеющего существенно меньшие размеры по отношению к своим аналогам, запустила компания Xiaomi, пишет портал ixbt.com 22 февраля со ссылкой на китайский сайт...
Распродажа: В России впервые подешевел смартфон Samsung Galaxy A51
На платформе Tmall запущена акция, позволяющая приобрести смартфон Samsung Galaxy A51 заметно дешевле, чем он стоит в большинстве других магазинов. Обычная цена официального Samsung Galaxy A51 с 64 Гбайт памяти, напомним, 19 990...
Главный конкурент Xiaomi Mi 10. Мощные флагманы iQOO 3 и iQOO 3 5G представлены официально
iQOO, игровой суббренд Vivo, представил сегодня горячо ожидаемый флагманский смартфон iQOO 3 и его вариацию iQOO 3 5G. Смартфон установил новый рекорд по производительности в AnTuTu. Как объявил производитель во время онлайн-презентации, смартфон набрал в бенчмарке 610 576 баллов. Это заметно больше результатов новых флагманов Xiaomi, прозванных компанией королями...
Imec и ASML показали получение линий с шагом 24 нм с использованием EUV-литографии с одной экспозицией
На проходящей сейчас конференции SPIE Advanced Lithography Conference институт imec и компания ASML объявили о прорыве в EUV-литографии. Речь идет о формировании линий с шагом 24 нм с применением всего одной экспозиции. Линии с таким шагом соответствуют размерам критически важных металлических слоев технологического узла 3 нм, формируемых на конечной стадии полупроводникового...