- CoolIT разработала водоблок для чипов... (1828)
- InWin показала корпус GX-285 со встроенной... (3033)
- Все три крупнейших поставщика памяти... (1736)
- Все три крупнейших поставщика HBM4 получили... (1757)
- TSMC пойдёт по стопам Intel: компания уже... (1548)
- Ноутбуки массово возвращаются к 8 Гбайт... (1752)
- Apple объяснила удаление мессенджера Max из... (2071)
- Poco X8 Pro Max, Poco X8 Pro и Poco M8 —... (1635)
- Акции Raspberry Pi взлетели до рекордной... (1875)
- В России появится национальный ИИ-ассистент... (1561)
- На волне ИИ-бума выручка Foxconn взлетела на... (3452)
- Американские ИТ-компании стали выбирать ИИ... (1765)
- Фрэнк Азор из AMD опроверг слухи о том, что... (1947)
- Steam растёт вширь — Valve обновила дизайн... (2351)
- Rockstar пожалела, что добавила стелс в GTA:... (1819)
- Репортаж со стенда G.Skill на Computex 2026:... (2040)
Apple заказывает 4-дюймовые экраны для новых iPhone
Дата: 2012-05-17 23:24
Подробнее на Yandex.ru
Предыдущие новости
Японский вариант Samsung Galaxy S III получил 2 Гбайт ОЗУ и 2-ядерный S4
Японский сотовый оператор NTT Docomo подтвердил ресурсу The Verge, что вариант смартфона Samsung Galaxy S III для их сетей получит внушительные 2 Гбайт оперативной памяти — после выхода LG Optimus LTE 2 такой объём, похоже, становится всё популярнее сегодня во...Похожие статьиApple уже заказывает 4-дюймовые экраны для нового iPhone?Источники Reuters подтвердили информацию о...
Samsung первой выпускает мобильную память LPDDR2 плотностью 4 Гбит по нормам 2x нм
В Samsung ожидают, что новая память быстро вытеснит микросхемы памяти LPDDR2 объемом 1 ГБ, выпускаемые сейчас по нормам 3x нм. Используя компоненты плотностью 4 Гбит, Samsung может изготавливать микросхемы объемом 2 ГБ, толщина которых не превышает 0,8...
Samsung первой выпускает мобильную память LPDDR2 плотностью 4 Гбит по нормам 2x нм
По сообщению компании Samsung Electronics, она первой в отрасли приступила к выпуску компонентов памяти типа LPDDR2 плотностью 4 Гбит по технологии 20-нанометрового класса. Серийный выпуск памяти, предназначенной для мобильных устройств, начался в апреле. В Samsung ожидают, что новая память быстро вытеснит микросхемы памяти LPDDR2 объемом 1 ГБ, выпускаемые сейчас по нормам 3x...
PQI заключила «флэшку» Intelligent Drive U821V в корпус из нержавеющей стали
Компания PQI сообщила о выпуске нового накопителя на базе флэш-памяти - изделие получило название Intelligent Drive U821V. Новинка заключена в корпус из нержавеющего металла, благодаря чему «флэшка» имеет привлекательный внешний вид (создатели считают ее отличным аксессуаром для владельца ультрабука) и хорошо сопротивляется неблагоприятным условиям внешней среды. Intelligent Drive...