- Большая батарея, большой экран, защита IP64,... (5038)
- VK решила засудить Apple за удаление... (3491)
- TSMC готова запустить ангстремный техпроцесс... (2456)
- Треть веб-страниц, появившихся с 2022 года,... (3467)
- Бюджетный смартфон Samsung с батареей 6000... (3341)
- Samsung пока №1, но китайцы дышат в спину:... (3429)
- Huawei показала Pura X View — первый не... (6046)
- В Китае стали пропадать птицы — под... (5447)
- VK подала в суд на Apple и потребовала... (3939)
- Новый смартфон Xiaomi c 16 ГБ ОЗУ,... (5306)
- Apple Music введёт принудительную маркировку... (2947)
- Anthropic решила побить рекорд SpaceX и... (5469)
- Претендент на звание лучшего камерофона:... (5099)
- Независимый разработчик резко расширил... (3849)
- А вот теперь по-взрослому. Все двигатели... (3688)
- У YouTube появился мощный конкурент:... (3705)
Apple заказывает 4-дюймовые экраны для новых iPhone
Дата: 2012-05-17 23:24
Подробнее на Yandex.ru
Предыдущие новости
Японский вариант Samsung Galaxy S III получил 2 Гбайт ОЗУ и 2-ядерный S4
Японский сотовый оператор NTT Docomo подтвердил ресурсу The Verge, что вариант смартфона Samsung Galaxy S III для их сетей получит внушительные 2 Гбайт оперативной памяти — после выхода LG Optimus LTE 2 такой объём, похоже, становится всё популярнее сегодня во...Похожие статьиApple уже заказывает 4-дюймовые экраны для нового iPhone?Источники Reuters подтвердили информацию о...
Samsung первой выпускает мобильную память LPDDR2 плотностью 4 Гбит по нормам 2x нм
В Samsung ожидают, что новая память быстро вытеснит микросхемы памяти LPDDR2 объемом 1 ГБ, выпускаемые сейчас по нормам 3x нм. Используя компоненты плотностью 4 Гбит, Samsung может изготавливать микросхемы объемом 2 ГБ, толщина которых не превышает 0,8...
Samsung первой выпускает мобильную память LPDDR2 плотностью 4 Гбит по нормам 2x нм
По сообщению компании Samsung Electronics, она первой в отрасли приступила к выпуску компонентов памяти типа LPDDR2 плотностью 4 Гбит по технологии 20-нанометрового класса. Серийный выпуск памяти, предназначенной для мобильных устройств, начался в апреле. В Samsung ожидают, что новая память быстро вытеснит микросхемы памяти LPDDR2 объемом 1 ГБ, выпускаемые сейчас по нормам 3x...
PQI заключила «флэшку» Intelligent Drive U821V в корпус из нержавеющей стали
Компания PQI сообщила о выпуске нового накопителя на базе флэш-памяти - изделие получило название Intelligent Drive U821V. Новинка заключена в корпус из нержавеющего металла, благодаря чему «флэшка» имеет привлекательный внешний вид (создатели считают ее отличным аксессуаром для владельца ультрабука) и хорошо сопротивляется неблагоприятным условиям внешней среды. Intelligent Drive...