- Anthropic призвала отрасль к солидарному... (2153)
- Производители модулей памяти и материнских... (2832)
- Google завершила обновление значков... (2195)
- В этом году дефицит чипов вынудит Intel... (4092)
- В M**a AI может появится распознавание лиц... (1667)
- OpenAI прокачала память ChatGPT — вскоре бот... (2183)
- Новая статья: ОСновной расклад: гид по... (2146)
- Новая статья: Обзор Infinix SMART 20: каким... (3480)
- HP и Ferrari выпустили ярко-красный ноутбук... (1852)
- HP и Ferrari выпустили ярко красный ноутбук... (3016)
- Waymo даст вторую жизнь аккумуляторам... (2202)
- Отправление задерживается: безумный... (2545)
- AMD не планирует наделять поддержкой FSR 4.1... (2124)
- Cooler Master представила процессорный кулер... (2165)
- Представлен доступный смартфон Huawei nova... (2802)
- AMD отобрала у Intel треть рынка... (2575)
Apple заказывает 4-дюймовые экраны для новых iPhone
Дата: 2012-05-17 23:24
Подробнее на Yandex.ru
Предыдущие новости
Японский вариант Samsung Galaxy S III получил 2 Гбайт ОЗУ и 2-ядерный S4
Японский сотовый оператор NTT Docomo подтвердил ресурсу The Verge, что вариант смартфона Samsung Galaxy S III для их сетей получит внушительные 2 Гбайт оперативной памяти — после выхода LG Optimus LTE 2 такой объём, похоже, становится всё популярнее сегодня во...Похожие статьиApple уже заказывает 4-дюймовые экраны для нового iPhone?Источники Reuters подтвердили информацию о...
Samsung первой выпускает мобильную память LPDDR2 плотностью 4 Гбит по нормам 2x нм
В Samsung ожидают, что новая память быстро вытеснит микросхемы памяти LPDDR2 объемом 1 ГБ, выпускаемые сейчас по нормам 3x нм. Используя компоненты плотностью 4 Гбит, Samsung может изготавливать микросхемы объемом 2 ГБ, толщина которых не превышает 0,8...
Samsung первой выпускает мобильную память LPDDR2 плотностью 4 Гбит по нормам 2x нм
По сообщению компании Samsung Electronics, она первой в отрасли приступила к выпуску компонентов памяти типа LPDDR2 плотностью 4 Гбит по технологии 20-нанометрового класса. Серийный выпуск памяти, предназначенной для мобильных устройств, начался в апреле. В Samsung ожидают, что новая память быстро вытеснит микросхемы памяти LPDDR2 объемом 1 ГБ, выпускаемые сейчас по нормам 3x...
PQI заключила «флэшку» Intelligent Drive U821V в корпус из нержавеющей стали
Компания PQI сообщила о выпуске нового накопителя на базе флэш-памяти - изделие получило название Intelligent Drive U821V. Новинка заключена в корпус из нержавеющего металла, благодаря чему «флэшка» имеет привлекательный внешний вид (создатели считают ее отличным аксессуаром для владельца ультрабука) и хорошо сопротивляется неблагоприятным условиям внешней среды. Intelligent Drive...