- Xiaomi внезапно выпустила новую прошивку... (865)
- Китайский заменитель Android подтвердил... (802)
- OnePlus Turbo с гигантским аккумулятором на... (675)
- OpenAI признала: у ИИ-браузеров есть... (603)
- Большой плоский экран 165 Гц, аккумулятор... (826)
- OnePlus 13R получил большое обновление... (661)
- От космической отрасли до микроэлектроники:... (685)
- Перископический зум и технология LOFIC.... (651)
- Санкционная GeForce RTX 5090 массово... (869)
- В ChatGPT появились персональные итоги года... (843)
- Первый запуск китайской многоразовой ракеты... (818)
- Китай провалил вторую попытку догнать SpaceX... (698)
- Неудачный дебют: первая частная... (653)
- Концептуальный смартфон Pixel Duo получил... (605)
- Священник против демонов: инсайдер раскрыл... (884)
- В «Яндекс Браузере» заработал расширенный... (930)
Apple заказывает 4-дюймовые экраны для новых iPhone
Дата: 2012-05-17 23:24
Подробнее на Yandex.ru
Предыдущие новости
Японский вариант Samsung Galaxy S III получил 2 Гбайт ОЗУ и 2-ядерный S4
Японский сотовый оператор NTT Docomo подтвердил ресурсу The Verge, что вариант смартфона Samsung Galaxy S III для их сетей получит внушительные 2 Гбайт оперативной памяти — после выхода LG Optimus LTE 2 такой объём, похоже, становится всё популярнее сегодня во...Похожие статьиApple уже заказывает 4-дюймовые экраны для нового iPhone?Источники Reuters подтвердили информацию о...
Samsung первой выпускает мобильную память LPDDR2 плотностью 4 Гбит по нормам 2x нм
В Samsung ожидают, что новая память быстро вытеснит микросхемы памяти LPDDR2 объемом 1 ГБ, выпускаемые сейчас по нормам 3x нм. Используя компоненты плотностью 4 Гбит, Samsung может изготавливать микросхемы объемом 2 ГБ, толщина которых не превышает 0,8...
Samsung первой выпускает мобильную память LPDDR2 плотностью 4 Гбит по нормам 2x нм
По сообщению компании Samsung Electronics, она первой в отрасли приступила к выпуску компонентов памяти типа LPDDR2 плотностью 4 Гбит по технологии 20-нанометрового класса. Серийный выпуск памяти, предназначенной для мобильных устройств, начался в апреле. В Samsung ожидают, что новая память быстро вытеснит микросхемы памяти LPDDR2 объемом 1 ГБ, выпускаемые сейчас по нормам 3x...
PQI заключила «флэшку» Intelligent Drive U821V в корпус из нержавеющей стали
Компания PQI сообщила о выпуске нового накопителя на базе флэш-памяти - изделие получило название Intelligent Drive U821V. Новинка заключена в корпус из нержавеющего металла, благодаря чему «флэшка» имеет привлекательный внешний вид (создатели считают ее отличным аксессуаром для владельца ультрабука) и хорошо сопротивляется неблагоприятным условиям внешней среды. Intelligent Drive...