- Tesla отзывает 3 млн электромобилей в Китае... (4136)
- Выход Nothing OS 5.0 на базе Android 17 не... (5350)
- Шестая утечка геймплея GTA VI впечатлила... (4159)
- В Дубае открыли первый в мире аэровокзал для... (2728)
- Supermicro уволила ряд сотрудников из-за... (5047)
- Один видеозвонок — и смартфон взломан:... (4895)
- Samsung представила первый в мире... (5183)
- Хакеры атаковали LiteLLM и похитили данные... (2824)
- Mouse: P.I. For Hire 2 уже в разработке —... (4199)
- Лондонские таксисты пережили появление Uber,... (2380)
- Дефицит памяти сильнее всего ударит по... (2427)
- Китайская CXMT не собиралась создавать DRAM... (2071)
- Китайская CXMT не собиралась создавать DRAM... (4891)
- Охота пуще неволи — эксперимент показал... (5254)
- Пять прерванных взлетов, 22 вылета и 30... (2158)
- Ещё не представленную флагманскую SoC... (4775)
Apple заказывает 4-дюймовые экраны для новых iPhone
Дата: 2012-05-17 23:24
Подробнее на Yandex.ru
Предыдущие новости
Японский вариант Samsung Galaxy S III получил 2 Гбайт ОЗУ и 2-ядерный S4
Японский сотовый оператор NTT Docomo подтвердил ресурсу The Verge, что вариант смартфона Samsung Galaxy S III для их сетей получит внушительные 2 Гбайт оперативной памяти — после выхода LG Optimus LTE 2 такой объём, похоже, становится всё популярнее сегодня во...Похожие статьиApple уже заказывает 4-дюймовые экраны для нового iPhone?Источники Reuters подтвердили информацию о...
Samsung первой выпускает мобильную память LPDDR2 плотностью 4 Гбит по нормам 2x нм
В Samsung ожидают, что новая память быстро вытеснит микросхемы памяти LPDDR2 объемом 1 ГБ, выпускаемые сейчас по нормам 3x нм. Используя компоненты плотностью 4 Гбит, Samsung может изготавливать микросхемы объемом 2 ГБ, толщина которых не превышает 0,8...
Samsung первой выпускает мобильную память LPDDR2 плотностью 4 Гбит по нормам 2x нм
По сообщению компании Samsung Electronics, она первой в отрасли приступила к выпуску компонентов памяти типа LPDDR2 плотностью 4 Гбит по технологии 20-нанометрового класса. Серийный выпуск памяти, предназначенной для мобильных устройств, начался в апреле. В Samsung ожидают, что новая память быстро вытеснит микросхемы памяти LPDDR2 объемом 1 ГБ, выпускаемые сейчас по нормам 3x...
PQI заключила «флэшку» Intelligent Drive U821V в корпус из нержавеющей стали
Компания PQI сообщила о выпуске нового накопителя на базе флэш-памяти - изделие получило название Intelligent Drive U821V. Новинка заключена в корпус из нержавеющего металла, благодаря чему «флэшка» имеет привлекательный внешний вид (создатели считают ее отличным аксессуаром для владельца ультрабука) и хорошо сопротивляется неблагоприятным условиям внешней среды. Intelligent Drive...