- Рынок перевернулся: внешние SSD на 4 Тбайт... (419)
- Производители готовы свернуть выпуск... (704)
- США отложили удар по китайским чипам:... (471)
- США отложили введение дополнительных тарифов... (774)
- Toyota Camry под защитой в России: Toyota... (474)
- Гигантский аккумулятор 10 000 мАч,... (728)
- Ford бросает вызов Toyota Land Cruiser... (471)
- Громкая полемика между ведущими учёными... (581)
- GPT-5 предположительно самостоятельно решила... (599)
- Ракета Spectrum от Isar Aerospace готова ко... (488)
- Оперативная память подорожала на 400%:... (587)
- Пентагон подключает xAI для ускорения... (376)
- Huawei HarmonyOS за два года перевела более... (584)
- В Индии ликвидировали подпольный цех по... (544)
- Искусственный интеллект помог раскрыть... (611)
- В Китае запретят секстинг — откровенный... (535)
Apple заказывает 4-дюймовые экраны для новых iPhone
Дата: 2012-05-17 23:24
Подробнее на Yandex.ru
Предыдущие новости
Японский вариант Samsung Galaxy S III получил 2 Гбайт ОЗУ и 2-ядерный S4
Японский сотовый оператор NTT Docomo подтвердил ресурсу The Verge, что вариант смартфона Samsung Galaxy S III для их сетей получит внушительные 2 Гбайт оперативной памяти — после выхода LG Optimus LTE 2 такой объём, похоже, становится всё популярнее сегодня во...Похожие статьиApple уже заказывает 4-дюймовые экраны для нового iPhone?Источники Reuters подтвердили информацию о...
Samsung первой выпускает мобильную память LPDDR2 плотностью 4 Гбит по нормам 2x нм
В Samsung ожидают, что новая память быстро вытеснит микросхемы памяти LPDDR2 объемом 1 ГБ, выпускаемые сейчас по нормам 3x нм. Используя компоненты плотностью 4 Гбит, Samsung может изготавливать микросхемы объемом 2 ГБ, толщина которых не превышает 0,8...
Samsung первой выпускает мобильную память LPDDR2 плотностью 4 Гбит по нормам 2x нм
По сообщению компании Samsung Electronics, она первой в отрасли приступила к выпуску компонентов памяти типа LPDDR2 плотностью 4 Гбит по технологии 20-нанометрового класса. Серийный выпуск памяти, предназначенной для мобильных устройств, начался в апреле. В Samsung ожидают, что новая память быстро вытеснит микросхемы памяти LPDDR2 объемом 1 ГБ, выпускаемые сейчас по нормам 3x...
PQI заключила «флэшку» Intelligent Drive U821V в корпус из нержавеющей стали
Компания PQI сообщила о выпуске нового накопителя на базе флэш-памяти - изделие получило название Intelligent Drive U821V. Новинка заключена в корпус из нержавеющего металла, благодаря чему «флэшка» имеет привлекательный внешний вид (создатели считают ее отличным аксессуаром для владельца ультрабука) и хорошо сопротивляется неблагоприятным условиям внешней среды. Intelligent Drive...