- Китайцы сделали чат-бот для квантовых... (2512)
- Broadcom потеряла $300 млрд капитализации,... (2211)
- TSMC призналась, что не сможет полностью... (2373)
- Tesla расширила зону обслуживания своих... (2548)
- Новая статья: ИИтоги мая 2026 г.: AI knows... (2811)
- Wentai представила первый в мире блок... (3292)
- Мессенджер MAX удалили из Apple App Store —... (4185)
- Surface Laptop Ultra получил нестандартно... (3401)
- Amazon встроила в поиск ИИ-картинки... (3157)
- Google выпустила мультимодальную ИИ-модель... (2704)
- Corsair показала прозрачный блок питания... (4003)
- Учёные построили первый в мире кремниевый... (5397)
- Wildberries разрабатывает отечественный... (3177)
- Импортозамещение по-европейски: ЕС запустил... (2760)
- Второе сюжетное дополнение к Vampire: The... (3059)
- Запущен крупнейший в мире частный лазер — он... (2918)
Apple заказывает 4-дюймовые экраны для новых iPhone
Дата: 2012-05-17 23:24
Подробнее на Yandex.ru
Предыдущие новости
Японский вариант Samsung Galaxy S III получил 2 Гбайт ОЗУ и 2-ядерный S4
Японский сотовый оператор NTT Docomo подтвердил ресурсу The Verge, что вариант смартфона Samsung Galaxy S III для их сетей получит внушительные 2 Гбайт оперативной памяти — после выхода LG Optimus LTE 2 такой объём, похоже, становится всё популярнее сегодня во...Похожие статьиApple уже заказывает 4-дюймовые экраны для нового iPhone?Источники Reuters подтвердили информацию о...
Samsung первой выпускает мобильную память LPDDR2 плотностью 4 Гбит по нормам 2x нм
В Samsung ожидают, что новая память быстро вытеснит микросхемы памяти LPDDR2 объемом 1 ГБ, выпускаемые сейчас по нормам 3x нм. Используя компоненты плотностью 4 Гбит, Samsung может изготавливать микросхемы объемом 2 ГБ, толщина которых не превышает 0,8...
Samsung первой выпускает мобильную память LPDDR2 плотностью 4 Гбит по нормам 2x нм
По сообщению компании Samsung Electronics, она первой в отрасли приступила к выпуску компонентов памяти типа LPDDR2 плотностью 4 Гбит по технологии 20-нанометрового класса. Серийный выпуск памяти, предназначенной для мобильных устройств, начался в апреле. В Samsung ожидают, что новая память быстро вытеснит микросхемы памяти LPDDR2 объемом 1 ГБ, выпускаемые сейчас по нормам 3x...
PQI заключила «флэшку» Intelligent Drive U821V в корпус из нержавеющей стали
Компания PQI сообщила о выпуске нового накопителя на базе флэш-памяти - изделие получило название Intelligent Drive U821V. Новинка заключена в корпус из нержавеющего металла, благодаря чему «флэшка» имеет привлекательный внешний вид (создатели считают ее отличным аксессуаром для владельца ультрабука) и хорошо сопротивляется неблагоприятным условиям внешней среды. Intelligent Drive...