- M**a вместо закрытия VR-приложения... (2101)
- Baidu выведет на биржу своего разработчика... (2205)
- Акции HPE взлетели более чем на 25 % после... (2051)
- Star Wars Zero Company скоро выйдет из тени... (4561)
- Huawei поблагодарила США за санкции — они... (2663)
- Galax показала концепт GeForce RTX 6090 Hall... (2361)
- Репортаж со стенда GIGABYTE на Computex... (2185)
- Только не списывай точь в точь: китайская... (2004)
- Foxconn теперь будет собирать ИИ-серверы не... (4296)
- Google начала скупать исходный код... (2023)
- MSI показала GeForce RTX 5080 Suprim в... (3264)
- Intel признала, что при освоении... (3052)
- Вакансии CD Projekt Red раскрыли новые... (2563)
- Сегодня вечером над Землёй забушуют полярные... (2613)
- На Android Go появится облегчённый... (4925)
- Запущен экспериментальный сервис Google... (2301)
Apple заказывает 4-дюймовые экраны для новых iPhone
Дата: 2012-05-17 23:24
Подробнее на Yandex.ru
Предыдущие новости
Японский вариант Samsung Galaxy S III получил 2 Гбайт ОЗУ и 2-ядерный S4
Японский сотовый оператор NTT Docomo подтвердил ресурсу The Verge, что вариант смартфона Samsung Galaxy S III для их сетей получит внушительные 2 Гбайт оперативной памяти — после выхода LG Optimus LTE 2 такой объём, похоже, становится всё популярнее сегодня во...Похожие статьиApple уже заказывает 4-дюймовые экраны для нового iPhone?Источники Reuters подтвердили информацию о...
Samsung первой выпускает мобильную память LPDDR2 плотностью 4 Гбит по нормам 2x нм
В Samsung ожидают, что новая память быстро вытеснит микросхемы памяти LPDDR2 объемом 1 ГБ, выпускаемые сейчас по нормам 3x нм. Используя компоненты плотностью 4 Гбит, Samsung может изготавливать микросхемы объемом 2 ГБ, толщина которых не превышает 0,8...
Samsung первой выпускает мобильную память LPDDR2 плотностью 4 Гбит по нормам 2x нм
По сообщению компании Samsung Electronics, она первой в отрасли приступила к выпуску компонентов памяти типа LPDDR2 плотностью 4 Гбит по технологии 20-нанометрового класса. Серийный выпуск памяти, предназначенной для мобильных устройств, начался в апреле. В Samsung ожидают, что новая память быстро вытеснит микросхемы памяти LPDDR2 объемом 1 ГБ, выпускаемые сейчас по нормам 3x...
PQI заключила «флэшку» Intelligent Drive U821V в корпус из нержавеющей стали
Компания PQI сообщила о выпуске нового накопителя на базе флэш-памяти - изделие получило название Intelligent Drive U821V. Новинка заключена в корпус из нержавеющего металла, благодаря чему «флэшка» имеет привлекательный внешний вид (создатели считают ее отличным аксессуаром для владельца ультрабука) и хорошо сопротивляется неблагоприятным условиям внешней среды. Intelligent Drive...