- MSI показала GeForce RTX 5080 Suprim в... (3282)
- Intel признала, что при освоении... (3073)
- Вакансии CD Projekt Red раскрыли новые... (2586)
- Сегодня вечером над Землёй забушуют полярные... (2635)
- На Android Go появится облегчённый... (4966)
- Запущен экспериментальный сервис Google... (2320)
- «МегаФон»: всего 10 % телефонов в... (3143)
- «Мы изобретаем ПК заново»: Nvidia объяснила,... (2163)
- «Это только начало»: Intel опровергла слухи... (2496)
- OpenAI и Anthropic потребовали ограничить ИИ... (1949)
- Nintendo выпустит Switch 2 со сменным... (2386)
- Cooler Master показала огромный кулер для... (2430)
- Apple доверит ИИ-чипам Nvidia обработку... (2301)
- Инженеры NASA в последний раз осмотрели... (2057)
- Великобритания намерена усилить защиту... (2182)
- В России стартовал предзаказ на смартфон... (2034)
Apple заказывает 4-дюймовые экраны для новых iPhone
Дата: 2012-05-17 23:24
Подробнее на Yandex.ru
Предыдущие новости
Японский вариант Samsung Galaxy S III получил 2 Гбайт ОЗУ и 2-ядерный S4
Японский сотовый оператор NTT Docomo подтвердил ресурсу The Verge, что вариант смартфона Samsung Galaxy S III для их сетей получит внушительные 2 Гбайт оперативной памяти — после выхода LG Optimus LTE 2 такой объём, похоже, становится всё популярнее сегодня во...Похожие статьиApple уже заказывает 4-дюймовые экраны для нового iPhone?Источники Reuters подтвердили информацию о...
Samsung первой выпускает мобильную память LPDDR2 плотностью 4 Гбит по нормам 2x нм
В Samsung ожидают, что новая память быстро вытеснит микросхемы памяти LPDDR2 объемом 1 ГБ, выпускаемые сейчас по нормам 3x нм. Используя компоненты плотностью 4 Гбит, Samsung может изготавливать микросхемы объемом 2 ГБ, толщина которых не превышает 0,8...
Samsung первой выпускает мобильную память LPDDR2 плотностью 4 Гбит по нормам 2x нм
По сообщению компании Samsung Electronics, она первой в отрасли приступила к выпуску компонентов памяти типа LPDDR2 плотностью 4 Гбит по технологии 20-нанометрового класса. Серийный выпуск памяти, предназначенной для мобильных устройств, начался в апреле. В Samsung ожидают, что новая память быстро вытеснит микросхемы памяти LPDDR2 объемом 1 ГБ, выпускаемые сейчас по нормам 3x...
PQI заключила «флэшку» Intelligent Drive U821V в корпус из нержавеющей стали
Компания PQI сообщила о выпуске нового накопителя на базе флэш-памяти - изделие получило название Intelligent Drive U821V. Новинка заключена в корпус из нержавеющего металла, благодаря чему «флэшка» имеет привлекательный внешний вид (создатели считают ее отличным аксессуаром для владельца ультрабука) и хорошо сопротивляется неблагоприятным условиям внешней среды. Intelligent Drive...