- 10 ядер, до 96 ГБ ОЗУ и хранилище на 272 ТБ:... (3315)
- Toyota обновила свой дешевый универсал... (3567)
- Google, Oppo и Vivo вслед за Apple добавят... (3442)
- Метеорит возрастом 4,6 млрд лет рассказал о... (4330)
- Китай снова намусорил на орбите: спутник... (3479)
- Apple усилила наём сотрудников в Китае —... (3791)
- Рассекречен новый 6-ядерник AMD — Ryzen 5... (3736)
- В России создали защитный чехол для... (3479)
- GoPro пообещала сохранить преданность... (3612)
- Samsung и Arm собираются разработать для... (4337)
- Samsung Galaxy S27 Pro и S27 Ultra получат... (3710)
- И тут без прогресса: Samsung Galaxy S27 Pro... (3912)
- Первый в мире безрамочный смартфон оказался... (3630)
- OpenAI долго скрывала этот инцидент:... (3187)
- Кто помогает Xiaomi выпускать батареи с... (4232)
- Представлен магнитный кулер OnePlus для... (4200)
Нитрид галлия обещает изменение форм-фактора зарядных устройств
Дата: 2020-02-22 21:26
Подробнее на Yandex.ru
Предыдущие новости
Распродажа: В России впервые подешевел смартфон Samsung Galaxy A51
На платформе Tmall запущена акция, позволяющая приобрести смартфон Samsung Galaxy A51 заметно дешевле, чем он стоит в большинстве других магазинов. Обычная цена официального Samsung Galaxy A51 с 64 Гбайт памяти, напомним, 19 990...
Главный конкурент Xiaomi Mi 10. Мощные флагманы iQOO 3 и iQOO 3 5G представлены официально
iQOO, игровой суббренд Vivo, представил сегодня горячо ожидаемый флагманский смартфон iQOO 3 и его вариацию iQOO 3 5G. Смартфон установил новый рекорд по производительности в AnTuTu. Как объявил производитель во время онлайн-презентации, смартфон набрал в бенчмарке 610 576 баллов. Это заметно больше результатов новых флагманов Xiaomi, прозванных компанией королями...
Imec и ASML показали получение линий с шагом 24 нм с использованием EUV-литографии с одной экспозицией
На проходящей сейчас конференции SPIE Advanced Lithography Conference институт imec и компания ASML объявили о прорыве в EUV-литографии. Речь идет о формировании линий с шагом 24 нм с применением всего одной экспозиции. Линии с таким шагом соответствуют размерам критически важных металлических слоев технологического узла 3 нм, формируемых на конечной стадии полупроводникового...
Первое в мире зарядное устройство с нитридом галлия мощностью 120 Вт
Компания Basel выпустила свое первое зарядное устройство с нитридом галлия в 2019 году, а в этом году популярность подобных адаптеров продолжает стремительно расти. Сегодня компания представила новое зарядное устройство Basel Galio, мощность которого составляет 120 Вт. Нитрид галлия (GaN) и карбид кремния (SiC), используемые в данном адаптере, в настоящее время являются...