- Контракт Tesla уменьшился почти в 400 000... (2059)
- Китайская «летающая маршрутка» EHang VT-35... (2169)
- Tesla похоронила многострадальный проект по... (1856)
- Российские энтузиасты отбились от претензий... (2037)
- 6,77-дюймовый AMOLED 120 Гц, 5520 мАч,... (2214)
- Lada Niva Legend 2025 начали превращать в... (1998)
- В России вышел беспроводной моющий пылесос... (2338)
- Tesla неожиданно опубликовала прогноз на... (2514)
- Китайская SMIC выкупила одно из своих... (2468)
- У бывшего топ-менеджера TSMC, перешедшего в... (2256)
- Valve раскрыла самые продаваемые игры в... (2726)
- Смартфон не нужен: Honor создала... (2554)
- Ryzen 5 5500 — народный спаситель на текущем... (3217)
- Intel Core Ultra, 6 × SSD и 6″ сенсорный... (2327)
- Один из самых дорогих в мире автомобилей... (2065)
- Японские конденсаторы и тихий... (2001)
Нитрид галлия обещает изменение форм-фактора зарядных устройств
Дата: 2020-02-22 21:26
Подробнее на Yandex.ru
Предыдущие новости
Распродажа: В России впервые подешевел смартфон Samsung Galaxy A51
На платформе Tmall запущена акция, позволяющая приобрести смартфон Samsung Galaxy A51 заметно дешевле, чем он стоит в большинстве других магазинов. Обычная цена официального Samsung Galaxy A51 с 64 Гбайт памяти, напомним, 19 990...
Главный конкурент Xiaomi Mi 10. Мощные флагманы iQOO 3 и iQOO 3 5G представлены официально
iQOO, игровой суббренд Vivo, представил сегодня горячо ожидаемый флагманский смартфон iQOO 3 и его вариацию iQOO 3 5G. Смартфон установил новый рекорд по производительности в AnTuTu. Как объявил производитель во время онлайн-презентации, смартфон набрал в бенчмарке 610 576 баллов. Это заметно больше результатов новых флагманов Xiaomi, прозванных компанией королями...
Imec и ASML показали получение линий с шагом 24 нм с использованием EUV-литографии с одной экспозицией
На проходящей сейчас конференции SPIE Advanced Lithography Conference институт imec и компания ASML объявили о прорыве в EUV-литографии. Речь идет о формировании линий с шагом 24 нм с применением всего одной экспозиции. Линии с таким шагом соответствуют размерам критически важных металлических слоев технологического узла 3 нм, формируемых на конечной стадии полупроводникового...
Первое в мире зарядное устройство с нитридом галлия мощностью 120 Вт
Компания Basel выпустила свое первое зарядное устройство с нитридом галлия в 2019 году, а в этом году популярность подобных адаптеров продолжает стремительно расти. Сегодня компания представила новое зарядное устройство Basel Galio, мощность которого составляет 120 Вт. Нитрид галлия (GaN) и карбид кремния (SiC), используемые в данном адаптере, в настоящее время являются...