- Бесшумный ремень Gates вместо цепи, мотор... (4720)
- Anker представила недорогую «космическую... (4465)
- Google представила WeatherNext 3 — «самую... (4140)
- Китайцы нашли способ создавать передовую... (4499)
- Движок Unreal Engine 5 не полностью подходил... (4800)
- Дефицит и рост цен не отпугнули покупателей... (4607)
- Внешне почти калька с Apple, но технически... (4549)
- Samsung Galaxy S26 FE протестировали на... (4052)
- С Gmail, Google Docs и Keep теперь можно... (4122)
- Представлен защищённый ноутбук Oukitel... (4265)
- Бразилия дала дата-центрам налоговые... (3307)
- CXMT удвоит мощности по выпуску памяти, но... (4044)
- Представлены потолочные светильники с ИИ... (3458)
- 4,5 млрд лет покоя подходят к концу:... (4508)
- 7 лет обновлений, One UI 9.0 из коробки,... (4490)
- Авторитетный инсайдер: версия GTA VI для ПК... (4338)
Нитрид галлия обещает изменение форм-фактора зарядных устройств
Дата: 2020-02-22 21:26
Подробнее на Yandex.ru
Предыдущие новости
Распродажа: В России впервые подешевел смартфон Samsung Galaxy A51
На платформе Tmall запущена акция, позволяющая приобрести смартфон Samsung Galaxy A51 заметно дешевле, чем он стоит в большинстве других магазинов. Обычная цена официального Samsung Galaxy A51 с 64 Гбайт памяти, напомним, 19 990...
Главный конкурент Xiaomi Mi 10. Мощные флагманы iQOO 3 и iQOO 3 5G представлены официально
iQOO, игровой суббренд Vivo, представил сегодня горячо ожидаемый флагманский смартфон iQOO 3 и его вариацию iQOO 3 5G. Смартфон установил новый рекорд по производительности в AnTuTu. Как объявил производитель во время онлайн-презентации, смартфон набрал в бенчмарке 610 576 баллов. Это заметно больше результатов новых флагманов Xiaomi, прозванных компанией королями...
Imec и ASML показали получение линий с шагом 24 нм с использованием EUV-литографии с одной экспозицией
На проходящей сейчас конференции SPIE Advanced Lithography Conference институт imec и компания ASML объявили о прорыве в EUV-литографии. Речь идет о формировании линий с шагом 24 нм с применением всего одной экспозиции. Линии с таким шагом соответствуют размерам критически важных металлических слоев технологического узла 3 нм, формируемых на конечной стадии полупроводникового...
Первое в мире зарядное устройство с нитридом галлия мощностью 120 Вт
Компания Basel выпустила свое первое зарядное устройство с нитридом галлия в 2019 году, а в этом году популярность подобных адаптеров продолжает стремительно расти. Сегодня компания представила новое зарядное устройство Basel Galio, мощность которого составляет 120 Вт. Нитрид галлия (GaN) и карбид кремния (SiC), используемые в данном адаптере, в настоящее время являются...