- Стимпанк отдыхает: к геймерскому ПК... (1957)
- Китай готов раньше США начать массовое... (2597)
- Новая тайная раздача Epic Games Store... (2037)
- Samsung и SK hynix получили от США... (2183)
- Эра DDR4 возвращается: в 2026 году Asus... (2259)
- Очередной случай оплавления разъема 12V-2x6,... (2525)
- Owlcat Games запустит собственный лаунчер,... (2712)
- Инсайдер показал, как в реальности будут... (2092)
- Amazfit выпустила смарт-часы Active Max с... (2178)
- «Раньше о таком можно было только мечтать»:... (2151)
- Исследование выяснило, в какие игры... (2182)
- На новых фабриках чипов в Китае половина... (2068)
- Роботов наделили способностью к тактильным... (2440)
- 10000 мАч, IP69K, MIL-STD-810H, мощный... (2562)
- Большой, но очень экономичный холодильник... (2390)
- «Ноутбук, который мне нужен, не... (2157)
Нитрид галлия обещает изменение форм-фактора зарядных устройств
Дата: 2020-02-22 21:26
Подробнее на Yandex.ru
Предыдущие новости
Распродажа: В России впервые подешевел смартфон Samsung Galaxy A51
На платформе Tmall запущена акция, позволяющая приобрести смартфон Samsung Galaxy A51 заметно дешевле, чем он стоит в большинстве других магазинов. Обычная цена официального Samsung Galaxy A51 с 64 Гбайт памяти, напомним, 19 990...
Главный конкурент Xiaomi Mi 10. Мощные флагманы iQOO 3 и iQOO 3 5G представлены официально
iQOO, игровой суббренд Vivo, представил сегодня горячо ожидаемый флагманский смартфон iQOO 3 и его вариацию iQOO 3 5G. Смартфон установил новый рекорд по производительности в AnTuTu. Как объявил производитель во время онлайн-презентации, смартфон набрал в бенчмарке 610 576 баллов. Это заметно больше результатов новых флагманов Xiaomi, прозванных компанией королями...
Imec и ASML показали получение линий с шагом 24 нм с использованием EUV-литографии с одной экспозицией
На проходящей сейчас конференции SPIE Advanced Lithography Conference институт imec и компания ASML объявили о прорыве в EUV-литографии. Речь идет о формировании линий с шагом 24 нм с применением всего одной экспозиции. Линии с таким шагом соответствуют размерам критически важных металлических слоев технологического узла 3 нм, формируемых на конечной стадии полупроводникового...
Первое в мире зарядное устройство с нитридом галлия мощностью 120 Вт
Компания Basel выпустила свое первое зарядное устройство с нитридом галлия в 2019 году, а в этом году популярность подобных адаптеров продолжает стремительно расти. Сегодня компания представила новое зарядное устройство Basel Galio, мощность которого составляет 120 Вт. Нитрид галлия (GaN) и карбид кремния (SiC), используемые в данном адаптере, в настоящее время являются...