- GPU Nvidia уже необязательны: DeepSeek... (3924)
- Батарея на 8300 мА•ч, максимальная защита... (3326)
- IPO компании Anthropic состоится не ранее... (3339)
- Apple раздует семейство iPhone — до конца... (3220)
- Apple за ближайшие до 2028 года включительно... (3443)
- Нейтринный лазер оказался физически... (4806)
- Смартфон с батареей 8000 мА·ч, которая... (5677)
- Больше инвестиций — ниже тарифы: США будут... (5795)
- Tesla запустила Cybercab без руля и педалей... (4803)
- Сразу пять российских спутников сгорели в... (4691)
- DLSS 5 портировали на видеокарты Radeon RX... (6018)
- Для гиперзвука и космоса: в США испытывают... (5459)
- Новая статья: Resonance: A Plague Tale... (4998)
- Американские ученые создали гибкие и... (5368)
- Квантовый процессор IBM Nighthawk r2... (4889)
- DLSS 5 запустили на Radeon RX 9070... (5997)
Нитрид галлия обещает изменение форм-фактора зарядных устройств
Дата: 2020-02-22 21:26
Подробнее на Yandex.ru
Предыдущие новости
Распродажа: В России впервые подешевел смартфон Samsung Galaxy A51
На платформе Tmall запущена акция, позволяющая приобрести смартфон Samsung Galaxy A51 заметно дешевле, чем он стоит в большинстве других магазинов. Обычная цена официального Samsung Galaxy A51 с 64 Гбайт памяти, напомним, 19 990...
Главный конкурент Xiaomi Mi 10. Мощные флагманы iQOO 3 и iQOO 3 5G представлены официально
iQOO, игровой суббренд Vivo, представил сегодня горячо ожидаемый флагманский смартфон iQOO 3 и его вариацию iQOO 3 5G. Смартфон установил новый рекорд по производительности в AnTuTu. Как объявил производитель во время онлайн-презентации, смартфон набрал в бенчмарке 610 576 баллов. Это заметно больше результатов новых флагманов Xiaomi, прозванных компанией королями...
Imec и ASML показали получение линий с шагом 24 нм с использованием EUV-литографии с одной экспозицией
На проходящей сейчас конференции SPIE Advanced Lithography Conference институт imec и компания ASML объявили о прорыве в EUV-литографии. Речь идет о формировании линий с шагом 24 нм с применением всего одной экспозиции. Линии с таким шагом соответствуют размерам критически важных металлических слоев технологического узла 3 нм, формируемых на конечной стадии полупроводникового...
Первое в мире зарядное устройство с нитридом галлия мощностью 120 Вт
Компания Basel выпустила свое первое зарядное устройство с нитридом галлия в 2019 году, а в этом году популярность подобных адаптеров продолжает стремительно расти. Сегодня компания представила новое зарядное устройство Basel Galio, мощность которого составляет 120 Вт. Нитрид галлия (GaN) и карбид кремния (SiC), используемые в данном адаптере, в настоящее время являются...