- Игровой смартфон-слайдер в стиле Sony... (2446)
- Смартфон Realme Power с аккумулятором... (2057)
- Anker выпустила в России наушники Soundcore... (2722)
- Для тех, кто пойдёт следом: ремейк 18-летней... (3055)
- Rockchip представила комплекты для... (2578)
- Еще 11 моделей смартфонов Redmi и Poco... (2766)
- Наделла провёл кадровую перестройку... (2438)
- Критическая точка на рынке памяти? Samsung и... (2251)
- Стимпанк отдыхает: к геймерскому ПК... (1953)
- Китай готов раньше США начать массовое... (2596)
- Новая тайная раздача Epic Games Store... (2035)
- Samsung и SK hynix получили от США... (2175)
- Эра DDR4 возвращается: в 2026 году Asus... (2258)
- Очередной случай оплавления разъема 12V-2x6,... (2519)
- Owlcat Games запустит собственный лаунчер,... (2706)
- Инсайдер показал, как в реальности будут... (2089)
Нитрид галлия обещает изменение форм-фактора зарядных устройств
Дата: 2020-02-22 21:26
Подробнее на Yandex.ru
Предыдущие новости
Распродажа: В России впервые подешевел смартфон Samsung Galaxy A51
На платформе Tmall запущена акция, позволяющая приобрести смартфон Samsung Galaxy A51 заметно дешевле, чем он стоит в большинстве других магазинов. Обычная цена официального Samsung Galaxy A51 с 64 Гбайт памяти, напомним, 19 990...
Главный конкурент Xiaomi Mi 10. Мощные флагманы iQOO 3 и iQOO 3 5G представлены официально
iQOO, игровой суббренд Vivo, представил сегодня горячо ожидаемый флагманский смартфон iQOO 3 и его вариацию iQOO 3 5G. Смартфон установил новый рекорд по производительности в AnTuTu. Как объявил производитель во время онлайн-презентации, смартфон набрал в бенчмарке 610 576 баллов. Это заметно больше результатов новых флагманов Xiaomi, прозванных компанией королями...
Imec и ASML показали получение линий с шагом 24 нм с использованием EUV-литографии с одной экспозицией
На проходящей сейчас конференции SPIE Advanced Lithography Conference институт imec и компания ASML объявили о прорыве в EUV-литографии. Речь идет о формировании линий с шагом 24 нм с применением всего одной экспозиции. Линии с таким шагом соответствуют размерам критически важных металлических слоев технологического узла 3 нм, формируемых на конечной стадии полупроводникового...
Первое в мире зарядное устройство с нитридом галлия мощностью 120 Вт
Компания Basel выпустила свое первое зарядное устройство с нитридом галлия в 2019 году, а в этом году популярность подобных адаптеров продолжает стремительно расти. Сегодня компания представила новое зарядное устройство Basel Galio, мощность которого составляет 120 Вт. Нитрид галлия (GaN) и карбид кремния (SiC), используемые в данном адаптере, в настоящее время являются...