- «Украсть технологии, переманить инженеров»:... (4236)
- AMD представила рабочую станцию Threadripper... (4047)
- Huawei вытесняет Nvidia из инфраструктуры... (4211)
- Патчи для Heroes of Might & Magic: Olden Era... (4277)
- Представлена целая серия магнитных зарядных... (3908)
- Первый карманный аккумулятор с жидкостным... (3506)
- AMD выпустила драйвер с поддержкой Onimusha:... (4129)
- ИИ-агенты OpenAI захватили немецкий сайт и... (4590)
- Репортаж со стенда Dreame на IFA 2026:... (4165)
- 9000 мАч и защита IP69K за 320 долларов.... (4265)
- Nvidia выпустила драйвер с поддержкой DLSS 5... (4296)
- Nvidia выпустила драйвер с поддержкой DLSS 5... (4434)
- Microsoft представила Project Zenith —... (4486)
- OpenAI выпустила GPT-6 Astra и заговорила о... (5028)
- OpenAI выпустила GPT-6 Astra, но забыла про... (4072)
- Голливуд становится вертикальным — ветераны... (3889)
Нитрид галлия обещает изменение форм-фактора зарядных устройств
Дата: 2020-02-22 21:26
Подробнее на Yandex.ru
Предыдущие новости
Распродажа: В России впервые подешевел смартфон Samsung Galaxy A51
На платформе Tmall запущена акция, позволяющая приобрести смартфон Samsung Galaxy A51 заметно дешевле, чем он стоит в большинстве других магазинов. Обычная цена официального Samsung Galaxy A51 с 64 Гбайт памяти, напомним, 19 990...
Главный конкурент Xiaomi Mi 10. Мощные флагманы iQOO 3 и iQOO 3 5G представлены официально
iQOO, игровой суббренд Vivo, представил сегодня горячо ожидаемый флагманский смартфон iQOO 3 и его вариацию iQOO 3 5G. Смартфон установил новый рекорд по производительности в AnTuTu. Как объявил производитель во время онлайн-презентации, смартфон набрал в бенчмарке 610 576 баллов. Это заметно больше результатов новых флагманов Xiaomi, прозванных компанией королями...
Imec и ASML показали получение линий с шагом 24 нм с использованием EUV-литографии с одной экспозицией
На проходящей сейчас конференции SPIE Advanced Lithography Conference институт imec и компания ASML объявили о прорыве в EUV-литографии. Речь идет о формировании линий с шагом 24 нм с применением всего одной экспозиции. Линии с таким шагом соответствуют размерам критически важных металлических слоев технологического узла 3 нм, формируемых на конечной стадии полупроводникового...
Первое в мире зарядное устройство с нитридом галлия мощностью 120 Вт
Компания Basel выпустила свое первое зарядное устройство с нитридом галлия в 2019 году, а в этом году популярность подобных адаптеров продолжает стремительно расти. Сегодня компания представила новое зарядное устройство Basel Galio, мощность которого составляет 120 Вт. Нитрид галлия (GaN) и карбид кремния (SiC), используемые в данном адаптере, в настоящее время являются...