- Безлимитный спутниковый интернет Starlink на... (5103)
- Защищённый смартфон RugOne Xsnap 7 Pro со... (3976)
- Теперь официально: активация DLSS 5 снижает... (4580)
- Вышел одноплатный компьютер Orange Pi Zero 4... (3912)
- Складных iPhone на всех не хватит — Apple... (4302)
- iPhone 18 Pro Max еще не представлен, но его... (4620)
- Подробный план по краже технологий Samsung... (3692)
- Он настолько тонкий, что даже не нашлось... (4544)
- «Мы не закончили»: глава Naughty Dog... (4820)
- Росатом освоил технологию получения... (4110)
- 10 000 и 20 000 мА•ч, экран и возможность... (3881)
- Представлены аккумуляторы SmallRig, которые... (3793)
- Стартовала мелкоузловая сборка автомобилей... (4953)
- Монстр автономности от Xiaomi с батареей 10... (4247)
- Lenovo уместила Ryzen AI Max+ PRO 495 и 128... (4735)
- «Пора всем остальным разработчикам равняться... (4777)
Нитрид галлия обещает изменение форм-фактора зарядных устройств
Дата: 2020-02-22 21:26
Подробнее на Yandex.ru
Предыдущие новости
Распродажа: В России впервые подешевел смартфон Samsung Galaxy A51
На платформе Tmall запущена акция, позволяющая приобрести смартфон Samsung Galaxy A51 заметно дешевле, чем он стоит в большинстве других магазинов. Обычная цена официального Samsung Galaxy A51 с 64 Гбайт памяти, напомним, 19 990...
Главный конкурент Xiaomi Mi 10. Мощные флагманы iQOO 3 и iQOO 3 5G представлены официально
iQOO, игровой суббренд Vivo, представил сегодня горячо ожидаемый флагманский смартфон iQOO 3 и его вариацию iQOO 3 5G. Смартфон установил новый рекорд по производительности в AnTuTu. Как объявил производитель во время онлайн-презентации, смартфон набрал в бенчмарке 610 576 баллов. Это заметно больше результатов новых флагманов Xiaomi, прозванных компанией королями...
Imec и ASML показали получение линий с шагом 24 нм с использованием EUV-литографии с одной экспозицией
На проходящей сейчас конференции SPIE Advanced Lithography Conference институт imec и компания ASML объявили о прорыве в EUV-литографии. Речь идет о формировании линий с шагом 24 нм с применением всего одной экспозиции. Линии с таким шагом соответствуют размерам критически важных металлических слоев технологического узла 3 нм, формируемых на конечной стадии полупроводникового...
Первое в мире зарядное устройство с нитридом галлия мощностью 120 Вт
Компания Basel выпустила свое первое зарядное устройство с нитридом галлия в 2019 году, а в этом году популярность подобных адаптеров продолжает стремительно расти. Сегодня компания представила новое зарядное устройство Basel Galio, мощность которого составляет 120 Вт. Нитрид галлия (GaN) и карбид кремния (SiC), используемые в данном адаптере, в настоящее время являются...