- Новая статья: ИИтоги декабря 2025 г.: код... (2171)
- Новая статья: Обзор игрового QD-OLED... (2608)
- Самый «злой» RAV4: Jaos превратила новый... (2538)
- Космическая обсерватория NASA SPHEREx... (3183)
- Hyundai отзывает в США десятки тысяч... (3023)
- Видео: робот Unitree G1 ударил инструктора... (2253)
- Modellista готовит другой Toyota Alphard —... (2265)
- CD Projekt продала цифровой магазин GOG,... (2318)
- Когда-то Microsoft разрабатывала Andromeda... (2468)
- Очень лёгкий ноутбук и мини-ПК на... (2608)
- Это мобильный миниПК-NAS с аккумулятором и... (2109)
- США действительно активно наращивают... (3217)
- Disco Elysium во вселенной мрачного... (2265)
- 7000 мАч, 12/512 ГБ памяти, IP69K и редкий в... (2226)
- Xiaomi — это уже давно не только смартфоны.... (2569)
- В США появится фабрика по современной... (2415)
Нитрид галлия обещает изменение форм-фактора зарядных устройств
Дата: 2020-02-22 21:26
Подробнее на Yandex.ru
Предыдущие новости
Распродажа: В России впервые подешевел смартфон Samsung Galaxy A51
На платформе Tmall запущена акция, позволяющая приобрести смартфон Samsung Galaxy A51 заметно дешевле, чем он стоит в большинстве других магазинов. Обычная цена официального Samsung Galaxy A51 с 64 Гбайт памяти, напомним, 19 990...
Главный конкурент Xiaomi Mi 10. Мощные флагманы iQOO 3 и iQOO 3 5G представлены официально
iQOO, игровой суббренд Vivo, представил сегодня горячо ожидаемый флагманский смартфон iQOO 3 и его вариацию iQOO 3 5G. Смартфон установил новый рекорд по производительности в AnTuTu. Как объявил производитель во время онлайн-презентации, смартфон набрал в бенчмарке 610 576 баллов. Это заметно больше результатов новых флагманов Xiaomi, прозванных компанией королями...
Imec и ASML показали получение линий с шагом 24 нм с использованием EUV-литографии с одной экспозицией
На проходящей сейчас конференции SPIE Advanced Lithography Conference институт imec и компания ASML объявили о прорыве в EUV-литографии. Речь идет о формировании линий с шагом 24 нм с применением всего одной экспозиции. Линии с таким шагом соответствуют размерам критически важных металлических слоев технологического узла 3 нм, формируемых на конечной стадии полупроводникового...
Первое в мире зарядное устройство с нитридом галлия мощностью 120 Вт
Компания Basel выпустила свое первое зарядное устройство с нитридом галлия в 2019 году, а в этом году популярность подобных адаптеров продолжает стремительно расти. Сегодня компания представила новое зарядное устройство Basel Galio, мощность которого составляет 120 Вт. Нитрид галлия (GaN) и карбид кремния (SiC), используемые в данном адаптере, в настоящее время являются...