- 16 ядер Zen 5 с частотой до 5,2 ГГц и до 192... (4564)
- Китай возьмет пространство между Землей и... (4225)
- Из-за подорожания компонентов ноутбук за... (4375)
- ИИ-агент M**a во время тестов начал... (4518)
- Из-за реформы лицензирования связи в... (4315)
- «Не представляете, какую магию они могут... (4798)
- Российский производитель чипов заложил сотни... (3828)
- Honor сделала смартфон с выдвижной камерой,... (4309)
- Nintendo анонсировала сразу две игровые... (4430)
- «Украсть технологии, переманить инженеров»:... (4337)
- AMD представила рабочую станцию Threadripper... (4175)
- Huawei вытесняет Nvidia из инфраструктуры... (4336)
- Патчи для Heroes of Might & Magic: Olden Era... (4406)
- Представлена целая серия магнитных зарядных... (4019)
- Первый карманный аккумулятор с жидкостным... (3609)
- AMD выпустила драйвер с поддержкой Onimusha:... (4243)
Нитрид галлия обещает изменение форм-фактора зарядных устройств
Дата: 2020-02-22 21:26
Подробнее на Yandex.ru
Предыдущие новости
Распродажа: В России впервые подешевел смартфон Samsung Galaxy A51
На платформе Tmall запущена акция, позволяющая приобрести смартфон Samsung Galaxy A51 заметно дешевле, чем он стоит в большинстве других магазинов. Обычная цена официального Samsung Galaxy A51 с 64 Гбайт памяти, напомним, 19 990...
Главный конкурент Xiaomi Mi 10. Мощные флагманы iQOO 3 и iQOO 3 5G представлены официально
iQOO, игровой суббренд Vivo, представил сегодня горячо ожидаемый флагманский смартфон iQOO 3 и его вариацию iQOO 3 5G. Смартфон установил новый рекорд по производительности в AnTuTu. Как объявил производитель во время онлайн-презентации, смартфон набрал в бенчмарке 610 576 баллов. Это заметно больше результатов новых флагманов Xiaomi, прозванных компанией королями...
Imec и ASML показали получение линий с шагом 24 нм с использованием EUV-литографии с одной экспозицией
На проходящей сейчас конференции SPIE Advanced Lithography Conference институт imec и компания ASML объявили о прорыве в EUV-литографии. Речь идет о формировании линий с шагом 24 нм с применением всего одной экспозиции. Линии с таким шагом соответствуют размерам критически важных металлических слоев технологического узла 3 нм, формируемых на конечной стадии полупроводникового...
Первое в мире зарядное устройство с нитридом галлия мощностью 120 Вт
Компания Basel выпустила свое первое зарядное устройство с нитридом галлия в 2019 году, а в этом году популярность подобных адаптеров продолжает стремительно расти. Сегодня компания представила новое зарядное устройство Basel Galio, мощность которого составляет 120 Вт. Нитрид галлия (GaN) и карбид кремния (SiC), используемые в данном адаптере, в настоящее время являются...