- США разрешили Samsung и SK hynix ещё год... (2239)
- Одну из последних «догонялок КГБ» — ГАЗ-2434... (2127)
- «Наши автомобили поедут по улицам». Продажи... (2201)
- Камеры 200 и 50 Мп, защита IP69 Pro, узкая... (2566)
- Втрое больше машин, новые полноприводные... (2582)
- Американские ИИ-стартапы привлекли... (1857)
- В России создали первый в мире квантовый... (2861)
- АвтоВАЗ снижает цены на Lada Aura и Lada... (2584)
- SpaceX провела рекордный год: 170 запусков... (1969)
- «Китайский УАЗ» BAW 212 будут собирать в... (2350)
- Intel: Wi-Fi 8 будет «про надёжность и... (1932)
- АКБ 7000 мАч, 90 Вт, режим внешнего... (1975)
- BMW создала «защиту от дурака» в МКПП:... (2421)
- Трёхкамерная пневматическая подвеска и запас... (2601)
- Ученые разгадали тайну старения... (2530)
- Разработка кинематографичного боевика Spine... (2504)
Нитрид галлия обещает изменение форм-фактора зарядных устройств
Дата: 2020-02-22 21:26
Подробнее на Yandex.ru
Предыдущие новости
Распродажа: В России впервые подешевел смартфон Samsung Galaxy A51
На платформе Tmall запущена акция, позволяющая приобрести смартфон Samsung Galaxy A51 заметно дешевле, чем он стоит в большинстве других магазинов. Обычная цена официального Samsung Galaxy A51 с 64 Гбайт памяти, напомним, 19 990...
Главный конкурент Xiaomi Mi 10. Мощные флагманы iQOO 3 и iQOO 3 5G представлены официально
iQOO, игровой суббренд Vivo, представил сегодня горячо ожидаемый флагманский смартфон iQOO 3 и его вариацию iQOO 3 5G. Смартфон установил новый рекорд по производительности в AnTuTu. Как объявил производитель во время онлайн-презентации, смартфон набрал в бенчмарке 610 576 баллов. Это заметно больше результатов новых флагманов Xiaomi, прозванных компанией королями...
Imec и ASML показали получение линий с шагом 24 нм с использованием EUV-литографии с одной экспозицией
На проходящей сейчас конференции SPIE Advanced Lithography Conference институт imec и компания ASML объявили о прорыве в EUV-литографии. Речь идет о формировании линий с шагом 24 нм с применением всего одной экспозиции. Линии с таким шагом соответствуют размерам критически важных металлических слоев технологического узла 3 нм, формируемых на конечной стадии полупроводникового...
Первое в мире зарядное устройство с нитридом галлия мощностью 120 Вт
Компания Basel выпустила свое первое зарядное устройство с нитридом галлия в 2019 году, а в этом году популярность подобных адаптеров продолжает стремительно расти. Сегодня компания представила новое зарядное устройство Basel Galio, мощность которого составляет 120 Вт. Нитрид галлия (GaN) и карбид кремния (SiC), используемые в данном адаптере, в настоящее время являются...