- Intel: Wi-Fi 8 будет «про надёжность и... (1933)
- АКБ 7000 мАч, 90 Вт, режим внешнего... (1976)
- BMW создала «защиту от дурака» в МКПП:... (2421)
- Трёхкамерная пневматическая подвеска и запас... (2602)
- Ученые разгадали тайну старения... (2531)
- Разработка кинематографичного боевика Spine... (2504)
- Конец эпохи: Китай опережает Японию и... (2269)
- «Король сигнала в лифте». Honor Power 2 с... (1938)
- «Живой журнал» серьёзно ограничил создание... (2756)
- «Живой журнал» изменил правила размещения... (2510)
- M**a купит сингапурский ИИ-стартап Manus,... (2548)
- «Москвич 8» наконец «выстрелил»: флагман... (2529)
- До 64 ГБ LPDDR5, 4 ТБ SSD, 12-ядерный CPU,... (1781)
- Новогодняя ночь 2026: северные сияния и... (2508)
- «Все кончено». Honor отменила выпуск... (2455)
- Во Вселенной нашли редчайшую «тройку» чёрных... (1924)
Нитрид галлия обещает изменение форм-фактора зарядных устройств
Дата: 2020-02-22 21:26
Подробнее на Yandex.ru
Предыдущие новости
Распродажа: В России впервые подешевел смартфон Samsung Galaxy A51
На платформе Tmall запущена акция, позволяющая приобрести смартфон Samsung Galaxy A51 заметно дешевле, чем он стоит в большинстве других магазинов. Обычная цена официального Samsung Galaxy A51 с 64 Гбайт памяти, напомним, 19 990...
Главный конкурент Xiaomi Mi 10. Мощные флагманы iQOO 3 и iQOO 3 5G представлены официально
iQOO, игровой суббренд Vivo, представил сегодня горячо ожидаемый флагманский смартфон iQOO 3 и его вариацию iQOO 3 5G. Смартфон установил новый рекорд по производительности в AnTuTu. Как объявил производитель во время онлайн-презентации, смартфон набрал в бенчмарке 610 576 баллов. Это заметно больше результатов новых флагманов Xiaomi, прозванных компанией королями...
Imec и ASML показали получение линий с шагом 24 нм с использованием EUV-литографии с одной экспозицией
На проходящей сейчас конференции SPIE Advanced Lithography Conference институт imec и компания ASML объявили о прорыве в EUV-литографии. Речь идет о формировании линий с шагом 24 нм с применением всего одной экспозиции. Линии с таким шагом соответствуют размерам критически важных металлических слоев технологического узла 3 нм, формируемых на конечной стадии полупроводникового...
Первое в мире зарядное устройство с нитридом галлия мощностью 120 Вт
Компания Basel выпустила свое первое зарядное устройство с нитридом галлия в 2019 году, а в этом году популярность подобных адаптеров продолжает стремительно расти. Сегодня компания представила новое зарядное устройство Basel Galio, мощность которого составляет 120 Вт. Нитрид галлия (GaN) и карбид кремния (SiC), используемые в данном адаптере, в настоящее время являются...