- Nokia собирается и дальше выпускать... (4160)
- Кнопочный телефон с двумя SIM-картами для... (4636)
- Tecno показала полностью безрамочный... (3977)
- Nvidia передумала и решила выпустить DLSS 5... (4400)
- OpenAI взялась за создание собственного... (4305)
- Глава OpenAI убеждён, что когда-нибудь у... (4025)
- Монитор «как электронная книга» —... (4491)
- Его можно сдавливать, прокалывать и... (4222)
- Один адаптер подходит для более 20 зарядных... (4576)
- 8K, съёмный OLED-экран, трёхосевой... (4416)
- Маск: если бы этот запуск провалился, SpaceX... (4817)
- Смартфоны массово дорожают из-за дефицита... (4120)
- В этом году цены выросли на более чем 40 %... (4510)
- Не только фото, но и видео флагманского... (4381)
- Экран как у складного iPhone получит... (4851)
- Представлен совершенно новый Xiaomi Band 11... (4608)
Нитрид галлия обещает изменение форм-фактора зарядных устройств
Дата: 2020-02-22 21:26
Подробнее на Yandex.ru
Предыдущие новости
Распродажа: В России впервые подешевел смартфон Samsung Galaxy A51
На платформе Tmall запущена акция, позволяющая приобрести смартфон Samsung Galaxy A51 заметно дешевле, чем он стоит в большинстве других магазинов. Обычная цена официального Samsung Galaxy A51 с 64 Гбайт памяти, напомним, 19 990...
Главный конкурент Xiaomi Mi 10. Мощные флагманы iQOO 3 и iQOO 3 5G представлены официально
iQOO, игровой суббренд Vivo, представил сегодня горячо ожидаемый флагманский смартфон iQOO 3 и его вариацию iQOO 3 5G. Смартфон установил новый рекорд по производительности в AnTuTu. Как объявил производитель во время онлайн-презентации, смартфон набрал в бенчмарке 610 576 баллов. Это заметно больше результатов новых флагманов Xiaomi, прозванных компанией королями...
Imec и ASML показали получение линий с шагом 24 нм с использованием EUV-литографии с одной экспозицией
На проходящей сейчас конференции SPIE Advanced Lithography Conference институт imec и компания ASML объявили о прорыве в EUV-литографии. Речь идет о формировании линий с шагом 24 нм с применением всего одной экспозиции. Линии с таким шагом соответствуют размерам критически важных металлических слоев технологического узла 3 нм, формируемых на конечной стадии полупроводникового...
Первое в мире зарядное устройство с нитридом галлия мощностью 120 Вт
Компания Basel выпустила свое первое зарядное устройство с нитридом галлия в 2019 году, а в этом году популярность подобных адаптеров продолжает стремительно расти. Сегодня компания представила новое зарядное устройство Basel Galio, мощность которого составляет 120 Вт. Нитрид галлия (GaN) и карбид кремния (SiC), используемые в данном адаптере, в настоящее время являются...