- Plaud представила ИИ-наушники, которые... (5432)
- Такого не было 7 лет: Boeing впервые с 2019... (5046)
- Новая статья: В помощь студенту: обзор... (5225)
- One UI 9.0 Beta вышла для Samsung Galaxy... (4864)
- Россия вновь хочет разрабатывать... (5006)
- Умное кольцо, которое определяет температуру... (5667)
- Экран 80 дюймов, 10 000 мА·ч и очень... (4983)
- «Я ждал этот сиквел семь лет»: анонс... (5192)
- Зарядная станция с поддержкой Qi2.2,... (4678)
- В Китае испытали квантовый «роутер» с... (4603)
- Компактный и мощный блок питания мощностью... (4949)
- Наработки автоспорта в силовой электронике:... (5396)
- Microsoft отвяжет Xbox Cloud Gaming от Game... (4891)
- Lenovo показала концепт ноутбука AeroBlade... (4857)
- Дефицит заставил Google разбирать старые... (5706)
- Star Wars Zero Company процветает по отзывам... (4843)
Нитрид галлия обещает изменение форм-фактора зарядных устройств
Дата: 2020-02-22 21:26
Подробнее на Yandex.ru
Предыдущие новости
Распродажа: В России впервые подешевел смартфон Samsung Galaxy A51
На платформе Tmall запущена акция, позволяющая приобрести смартфон Samsung Galaxy A51 заметно дешевле, чем он стоит в большинстве других магазинов. Обычная цена официального Samsung Galaxy A51 с 64 Гбайт памяти, напомним, 19 990...
Главный конкурент Xiaomi Mi 10. Мощные флагманы iQOO 3 и iQOO 3 5G представлены официально
iQOO, игровой суббренд Vivo, представил сегодня горячо ожидаемый флагманский смартфон iQOO 3 и его вариацию iQOO 3 5G. Смартфон установил новый рекорд по производительности в AnTuTu. Как объявил производитель во время онлайн-презентации, смартфон набрал в бенчмарке 610 576 баллов. Это заметно больше результатов новых флагманов Xiaomi, прозванных компанией королями...
Imec и ASML показали получение линий с шагом 24 нм с использованием EUV-литографии с одной экспозицией
На проходящей сейчас конференции SPIE Advanced Lithography Conference институт imec и компания ASML объявили о прорыве в EUV-литографии. Речь идет о формировании линий с шагом 24 нм с применением всего одной экспозиции. Линии с таким шагом соответствуют размерам критически важных металлических слоев технологического узла 3 нм, формируемых на конечной стадии полупроводникового...
Первое в мире зарядное устройство с нитридом галлия мощностью 120 Вт
Компания Basel выпустила свое первое зарядное устройство с нитридом галлия в 2019 году, а в этом году популярность подобных адаптеров продолжает стремительно расти. Сегодня компания представила новое зарядное устройство Basel Galio, мощность которого составляет 120 Вт. Нитрид галлия (GaN) и карбид кремния (SiC), используемые в данном адаптере, в настоящее время являются...