- Alienware готовит игровые ноутбуки с... (2607)
- «Всего» 800 Гц, но зато в Full HD. HKC... (3497)
- Сарафан и босоножки или дублёнка с... (3355)
- ИИ-ускорители Nvidia Feynman могут получить... (3209)
- Новые комплектации официальных Li Auto... (3527)
- Samsung интегрирует Google Photos в свои... (2286)
- Пока все обсуждали цены на память, цены на... (3476)
- Xiaomi 17 Ultra Leica Edition получил... (2243)
- CATL запустит массовое производство... (3243)
- 7000 мАч, IP69 и две 200-мегапиксельные... (3264)
- У обанкротившегося производителя... (3042)
- Мини-ПК с Core Ultra 300 в цвете розового... (2201)
- Одна из самых больших GeForce RTX 5060, при... (2263)
- TSMC не справляется с заказами на 2- и... (2297)
- Microsoft оптимизировала «Проводник» в... (3341)
- На Тайване произошло одно из самых сильных... (2284)
Нитрид галлия обещает изменение форм-фактора зарядных устройств
Дата: 2020-02-22 21:26
Подробнее на Yandex.ru
Предыдущие новости
Распродажа: В России впервые подешевел смартфон Samsung Galaxy A51
На платформе Tmall запущена акция, позволяющая приобрести смартфон Samsung Galaxy A51 заметно дешевле, чем он стоит в большинстве других магазинов. Обычная цена официального Samsung Galaxy A51 с 64 Гбайт памяти, напомним, 19 990...
Главный конкурент Xiaomi Mi 10. Мощные флагманы iQOO 3 и iQOO 3 5G представлены официально
iQOO, игровой суббренд Vivo, представил сегодня горячо ожидаемый флагманский смартфон iQOO 3 и его вариацию iQOO 3 5G. Смартфон установил новый рекорд по производительности в AnTuTu. Как объявил производитель во время онлайн-презентации, смартфон набрал в бенчмарке 610 576 баллов. Это заметно больше результатов новых флагманов Xiaomi, прозванных компанией королями...
Imec и ASML показали получение линий с шагом 24 нм с использованием EUV-литографии с одной экспозицией
На проходящей сейчас конференции SPIE Advanced Lithography Conference институт imec и компания ASML объявили о прорыве в EUV-литографии. Речь идет о формировании линий с шагом 24 нм с применением всего одной экспозиции. Линии с таким шагом соответствуют размерам критически важных металлических слоев технологического узла 3 нм, формируемых на конечной стадии полупроводникового...
Первое в мире зарядное устройство с нитридом галлия мощностью 120 Вт
Компания Basel выпустила свое первое зарядное устройство с нитридом галлия в 2019 году, а в этом году популярность подобных адаптеров продолжает стремительно расти. Сегодня компания представила новое зарядное устройство Basel Galio, мощность которого составляет 120 Вт. Нитрид галлия (GaN) и карбид кремния (SiC), используемые в данном адаптере, в настоящее время являются...