- Маск: если бы этот запуск провалился, SpaceX... (4830)
- Смартфоны массово дорожают из-за дефицита... (4129)
- В этом году цены выросли на более чем 40 %... (4518)
- Не только фото, но и видео флагманского... (4390)
- Экран как у складного iPhone получит... (4866)
- Представлен совершенно новый Xiaomi Band 11... (4616)
- Tesla Cybercab стали настоящим такси —... (4218)
- Роботакси Tesla Cybercab без руля и педалей... (4421)
- Новый термос Xiaomi получил защиту от... (3884)
- Xiaomi выводит Mijia в Европу — компания... (4653)
- Зарядка с экраном, которая распознаёт iPhone... (4917)
- OLED-экран на 120 Гц, батарея 8000 мА•ч,... (4250)
- AMOLED-дисплей с яркостью 5200 нит и... (4626)
- Солнечную электростанцию построят в Амурской... (4067)
- Российский заменитель Boeing 737 и Airbus... (4605)
- Sony представила лимитированную серию... (4720)
Нитрид галлия обещает изменение форм-фактора зарядных устройств
Дата: 2020-02-22 21:26
Подробнее на Yandex.ru
Предыдущие новости
Распродажа: В России впервые подешевел смартфон Samsung Galaxy A51
На платформе Tmall запущена акция, позволяющая приобрести смартфон Samsung Galaxy A51 заметно дешевле, чем он стоит в большинстве других магазинов. Обычная цена официального Samsung Galaxy A51 с 64 Гбайт памяти, напомним, 19 990...
Главный конкурент Xiaomi Mi 10. Мощные флагманы iQOO 3 и iQOO 3 5G представлены официально
iQOO, игровой суббренд Vivo, представил сегодня горячо ожидаемый флагманский смартфон iQOO 3 и его вариацию iQOO 3 5G. Смартфон установил новый рекорд по производительности в AnTuTu. Как объявил производитель во время онлайн-презентации, смартфон набрал в бенчмарке 610 576 баллов. Это заметно больше результатов новых флагманов Xiaomi, прозванных компанией королями...
Imec и ASML показали получение линий с шагом 24 нм с использованием EUV-литографии с одной экспозицией
На проходящей сейчас конференции SPIE Advanced Lithography Conference институт imec и компания ASML объявили о прорыве в EUV-литографии. Речь идет о формировании линий с шагом 24 нм с применением всего одной экспозиции. Линии с таким шагом соответствуют размерам критически важных металлических слоев технологического узла 3 нм, формируемых на конечной стадии полупроводникового...
Первое в мире зарядное устройство с нитридом галлия мощностью 120 Вт
Компания Basel выпустила свое первое зарядное устройство с нитридом галлия в 2019 году, а в этом году популярность подобных адаптеров продолжает стремительно расти. Сегодня компания представила новое зарядное устройство Basel Galio, мощность которого составляет 120 Вт. Нитрид галлия (GaN) и карбид кремния (SiC), используемые в данном адаптере, в настоящее время являются...