- Роботов наделили способностью к тактильным... (2468)
- 10000 мАч, IP69K, MIL-STD-810H, мощный... (2598)
- Большой, но очень экономичный холодильник... (2433)
- «Ноутбук, который мне нужен, не... (2180)
- NEC прекращает разработку базовых станций... (2622)
- 120 Гц, большой аккумулятор на 7200 мАч, 50... (2319)
- OnePlus Turbo 6 и OnePlus Turbo 6 V будут... (2480)
- Современная Honda с лицом легенды 80-х:... (2206)
- Радиоволна вместо меди и стекла: пластиковые... (2040)
- Китайские видеокарты Lisuan 7G100 на 6-нм... (2009)
- «Делать игры сложно, начальник»: авторы... (2140)
- Telegram вскоре получит совершенно новый... (2267)
- Контракт Tesla уменьшился почти в 400 000... (2085)
- Китайская «летающая маршрутка» EHang VT-35... (2222)
- Tesla похоронила многострадальный проект по... (1882)
- Российские энтузиасты отбились от претензий... (2066)
Нитрид галлия обещает изменение форм-фактора зарядных устройств
Дата: 2020-02-22 21:26
Подробнее на Yandex.ru
Предыдущие новости
Распродажа: В России впервые подешевел смартфон Samsung Galaxy A51
На платформе Tmall запущена акция, позволяющая приобрести смартфон Samsung Galaxy A51 заметно дешевле, чем он стоит в большинстве других магазинов. Обычная цена официального Samsung Galaxy A51 с 64 Гбайт памяти, напомним, 19 990...
Главный конкурент Xiaomi Mi 10. Мощные флагманы iQOO 3 и iQOO 3 5G представлены официально
iQOO, игровой суббренд Vivo, представил сегодня горячо ожидаемый флагманский смартфон iQOO 3 и его вариацию iQOO 3 5G. Смартфон установил новый рекорд по производительности в AnTuTu. Как объявил производитель во время онлайн-презентации, смартфон набрал в бенчмарке 610 576 баллов. Это заметно больше результатов новых флагманов Xiaomi, прозванных компанией королями...
Imec и ASML показали получение линий с шагом 24 нм с использованием EUV-литографии с одной экспозицией
На проходящей сейчас конференции SPIE Advanced Lithography Conference институт imec и компания ASML объявили о прорыве в EUV-литографии. Речь идет о формировании линий с шагом 24 нм с применением всего одной экспозиции. Линии с таким шагом соответствуют размерам критически важных металлических слоев технологического узла 3 нм, формируемых на конечной стадии полупроводникового...
Первое в мире зарядное устройство с нитридом галлия мощностью 120 Вт
Компания Basel выпустила свое первое зарядное устройство с нитридом галлия в 2019 году, а в этом году популярность подобных адаптеров продолжает стремительно расти. Сегодня компания представила новое зарядное устройство Basel Galio, мощность которого составляет 120 Вт. Нитрид галлия (GaN) и карбид кремния (SiC), используемые в данном адаптере, в настоящее время являются...