- Кажется, что камер три, но на самом деле... (5138)
- Supermicro представила настольный компьютер... (5274)
- Ноутбучный процессор Nvidia N1X выйдет уже в... (4613)
- Тонкий магнитный мобильный аккумулятор со... (4774)
- Не только у Boeing проблемы: Airbus... (4429)
- Lenovo показала ноутбук Lenovo Aeroblade... (4836)
- Системные платы могут подорожать, так как... (4573)
- Intel обещает поддержку нового сокета... (5298)
- Глава Epic Games объявил о крупнейшем... (4635)
- Восемь лет полёта и девять гравитационных... (4408)
- Южная Корея создала самую эффективную... (4963)
- Император одобряет: Saber подтвердила, что в... (4935)
- 5 млн СВЧ-микросхем в год: в России создадут... (5591)
- AMD Radeon RX 5700 XT вернули к жизни:... (4803)
- В России создали новый метод производства... (5340)
- 20-ядерный процессор, графика на уровне... (5083)
Нитрид галлия обещает изменение форм-фактора зарядных устройств
Дата: 2020-02-22 21:26
Подробнее на Yandex.ru
Предыдущие новости
Распродажа: В России впервые подешевел смартфон Samsung Galaxy A51
На платформе Tmall запущена акция, позволяющая приобрести смартфон Samsung Galaxy A51 заметно дешевле, чем он стоит в большинстве других магазинов. Обычная цена официального Samsung Galaxy A51 с 64 Гбайт памяти, напомним, 19 990...
Главный конкурент Xiaomi Mi 10. Мощные флагманы iQOO 3 и iQOO 3 5G представлены официально
iQOO, игровой суббренд Vivo, представил сегодня горячо ожидаемый флагманский смартфон iQOO 3 и его вариацию iQOO 3 5G. Смартфон установил новый рекорд по производительности в AnTuTu. Как объявил производитель во время онлайн-презентации, смартфон набрал в бенчмарке 610 576 баллов. Это заметно больше результатов новых флагманов Xiaomi, прозванных компанией королями...
Imec и ASML показали получение линий с шагом 24 нм с использованием EUV-литографии с одной экспозицией
На проходящей сейчас конференции SPIE Advanced Lithography Conference институт imec и компания ASML объявили о прорыве в EUV-литографии. Речь идет о формировании линий с шагом 24 нм с применением всего одной экспозиции. Линии с таким шагом соответствуют размерам критически важных металлических слоев технологического узла 3 нм, формируемых на конечной стадии полупроводникового...
Первое в мире зарядное устройство с нитридом галлия мощностью 120 Вт
Компания Basel выпустила свое первое зарядное устройство с нитридом галлия в 2019 году, а в этом году популярность подобных адаптеров продолжает стремительно расти. Сегодня компания представила новое зарядное устройство Basel Galio, мощность которого составляет 120 Вт. Нитрид галлия (GaN) и карбид кремния (SiC), используемые в данном адаптере, в настоящее время являются...