- На Тайване произошло одно из самых сильных... (2300)
- Китайский ответ на GeForce RTX 60:... (3175)
- Русская озвучка Clair Obscur: Expedition 33... (3387)
- Спрос на официальные Li Auto в России... (3357)
- Новые Honda CR-V продают в России с... (2258)
- В национальном мессенджере Max уже более 80... (3112)
- В России выставили на продажу уникальную... (1934)
- Японская NEC прекращает разработку базовых... (2262)
- Японсская NEC прекращает разработку базовых... (2215)
- Современный ГАЗ: на заводе уже работают... (3422)
- В России создали первый квантовый компьютер... (2138)
- BYD не спешит в небо: компания опровергла... (2014)
- Новейшая Honda Prelude 2025 останется без... (2216)
- Ракета «Союз-2.1б» с космодрома «Восточный»... (3255)
- Спутник Starlink показали крупным... (3325)
- Таким будет новый бюджетный смартфон Samsung... (2837)
Нитрид галлия обещает изменение форм-фактора зарядных устройств
Дата: 2020-02-22 21:26
Подробнее на Yandex.ru
Предыдущие новости
Распродажа: В России впервые подешевел смартфон Samsung Galaxy A51
На платформе Tmall запущена акция, позволяющая приобрести смартфон Samsung Galaxy A51 заметно дешевле, чем он стоит в большинстве других магазинов. Обычная цена официального Samsung Galaxy A51 с 64 Гбайт памяти, напомним, 19 990...
Главный конкурент Xiaomi Mi 10. Мощные флагманы iQOO 3 и iQOO 3 5G представлены официально
iQOO, игровой суббренд Vivo, представил сегодня горячо ожидаемый флагманский смартфон iQOO 3 и его вариацию iQOO 3 5G. Смартфон установил новый рекорд по производительности в AnTuTu. Как объявил производитель во время онлайн-презентации, смартфон набрал в бенчмарке 610 576 баллов. Это заметно больше результатов новых флагманов Xiaomi, прозванных компанией королями...
Imec и ASML показали получение линий с шагом 24 нм с использованием EUV-литографии с одной экспозицией
На проходящей сейчас конференции SPIE Advanced Lithography Conference институт imec и компания ASML объявили о прорыве в EUV-литографии. Речь идет о формировании линий с шагом 24 нм с применением всего одной экспозиции. Линии с таким шагом соответствуют размерам критически важных металлических слоев технологического узла 3 нм, формируемых на конечной стадии полупроводникового...
Первое в мире зарядное устройство с нитридом галлия мощностью 120 Вт
Компания Basel выпустила свое первое зарядное устройство с нитридом галлия в 2019 году, а в этом году популярность подобных адаптеров продолжает стремительно расти. Сегодня компания представила новое зарядное устройство Basel Galio, мощность которого составляет 120 Вт. Нитрид галлия (GaN) и карбид кремния (SiC), используемые в данном адаптере, в настоящее время являются...