- Вместо Hyundai Creta. На бывшем российском... (4849)
- США, Китай и ещё 18 стран неожиданно... (5133)
- Шаг к серийному выпуску: NuScale Power... (4980)
- Новый японский ноутбук Iiyama LEVEL-15FX167... (4935)
- AMD открыла FSR 4.1 для Radeon RX 7000:... (5027)
- «Убирайтесь с нашей улицы»: в Шеффилде... (4974)
- 500 000 электромобилей и до 150 000 км... (4911)
- Perplexity научила Mac решать, какие данные... (5704)
- V-Color начала продажи комплекта модулей... (5927)
- Подвинься, УАЗ «Патриот». Новый «Патриот X»... (5167)
- Поиск жизни на Венере уперся в одну проблему... (5214)
- На АЭС «Аккую» в Турции стартовала... (5342)
- ИИ-бум загнал США в китайскую ловушку — без... (4691)
- Сатурн способен удивить не только своими... (5985)
- Мошенники не пройдут: НКО начали... (5412)
- Oukitel скрестила игровой смартфон с... (5280)
Нитрид галлия обещает изменение форм-фактора зарядных устройств
Дата: 2020-02-22 21:26
Подробнее на Yandex.ru
Предыдущие новости
Распродажа: В России впервые подешевел смартфон Samsung Galaxy A51
На платформе Tmall запущена акция, позволяющая приобрести смартфон Samsung Galaxy A51 заметно дешевле, чем он стоит в большинстве других магазинов. Обычная цена официального Samsung Galaxy A51 с 64 Гбайт памяти, напомним, 19 990...
Главный конкурент Xiaomi Mi 10. Мощные флагманы iQOO 3 и iQOO 3 5G представлены официально
iQOO, игровой суббренд Vivo, представил сегодня горячо ожидаемый флагманский смартфон iQOO 3 и его вариацию iQOO 3 5G. Смартфон установил новый рекорд по производительности в AnTuTu. Как объявил производитель во время онлайн-презентации, смартфон набрал в бенчмарке 610 576 баллов. Это заметно больше результатов новых флагманов Xiaomi, прозванных компанией королями...
Imec и ASML показали получение линий с шагом 24 нм с использованием EUV-литографии с одной экспозицией
На проходящей сейчас конференции SPIE Advanced Lithography Conference институт imec и компания ASML объявили о прорыве в EUV-литографии. Речь идет о формировании линий с шагом 24 нм с применением всего одной экспозиции. Линии с таким шагом соответствуют размерам критически важных металлических слоев технологического узла 3 нм, формируемых на конечной стадии полупроводникового...
Первое в мире зарядное устройство с нитридом галлия мощностью 120 Вт
Компания Basel выпустила свое первое зарядное устройство с нитридом галлия в 2019 году, а в этом году популярность подобных адаптеров продолжает стремительно расти. Сегодня компания представила новое зарядное устройство Basel Galio, мощность которого составляет 120 Вт. Нитрид галлия (GaN) и карбид кремния (SiC), используемые в данном адаптере, в настоящее время являются...