- «Билайн» + China Mobile: китайский и... (2162)
- Rainbow Six Siege возобновила работу после... (2510)
- 2-нанометровые чипы — в массы. TSMC... (2593)
- Путин подписал закон о подтверждении... (2128)
- «М.Видео»: самые популярные смартфоны к... (2263)
- Honor Power 2, оснащенный аккумулятором... (2737)
- Jawa и «ИЖ» вошли в топ-5 самых популярных... (2833)
- SpaceX не может возобновить запуски Starlink... (2750)
- Топливный бак от запущенной 28 декабря... (2569)
- Snapdragon 8 Gen 5, 16 ГБ ОЗУ и Android 16.... (2099)
- Эксперты Digital Foundry выбрали худшие и... (2813)
- В России устранили «лазейку» по тонировке... (2946)
- Россияне активно скупают мотоциклы с... (2352)
- Россияне активно скупают мотоциклы с... (2530)
- Продажи автомобилей в России выросли и упали... (2465)
- На бывших заводах Hyundai и General Motors... (2358)
Нитрид галлия обещает изменение форм-фактора зарядных устройств
Дата: 2020-02-22 21:26
Подробнее на Yandex.ru
Предыдущие новости
Распродажа: В России впервые подешевел смартфон Samsung Galaxy A51
На платформе Tmall запущена акция, позволяющая приобрести смартфон Samsung Galaxy A51 заметно дешевле, чем он стоит в большинстве других магазинов. Обычная цена официального Samsung Galaxy A51 с 64 Гбайт памяти, напомним, 19 990...
Главный конкурент Xiaomi Mi 10. Мощные флагманы iQOO 3 и iQOO 3 5G представлены официально
iQOO, игровой суббренд Vivo, представил сегодня горячо ожидаемый флагманский смартфон iQOO 3 и его вариацию iQOO 3 5G. Смартфон установил новый рекорд по производительности в AnTuTu. Как объявил производитель во время онлайн-презентации, смартфон набрал в бенчмарке 610 576 баллов. Это заметно больше результатов новых флагманов Xiaomi, прозванных компанией королями...
Imec и ASML показали получение линий с шагом 24 нм с использованием EUV-литографии с одной экспозицией
На проходящей сейчас конференции SPIE Advanced Lithography Conference институт imec и компания ASML объявили о прорыве в EUV-литографии. Речь идет о формировании линий с шагом 24 нм с применением всего одной экспозиции. Линии с таким шагом соответствуют размерам критически важных металлических слоев технологического узла 3 нм, формируемых на конечной стадии полупроводникового...
Первое в мире зарядное устройство с нитридом галлия мощностью 120 Вт
Компания Basel выпустила свое первое зарядное устройство с нитридом галлия в 2019 году, а в этом году популярность подобных адаптеров продолжает стремительно расти. Сегодня компания представила новое зарядное устройство Basel Galio, мощность которого составляет 120 Вт. Нитрид галлия (GaN) и карбид кремния (SiC), используемые в данном адаптере, в настоящее время являются...