- 7500 мАч, 120 Вт, 144 Гц и экран без... (2791)
- Samsung ускорила подготовку к массовому... (3177)
- Основатель Koenigsegg заявляет, что... (3340)
- Xiaomi 17 Ultra Leica Edition распаковали на... (3421)
- Doogee выпустила планшеты Tab E3 Pro и Tab... (2813)
- Huawei — король китайского рынка: Mate 80... (2498)
- 533-сильные кроссоверы Huawei с запасом хода... (2229)
- Еще больше современных «китайских УАЗов»: в... (3721)
- Новый Атлас, возвращение АДАМа и город... (2098)
- От -40 до +85 °C: GigaIPC представила... (2785)
- На этом смартфоне можно будет смотреть видео... (3511)
- От -40 °C до 70 °C. CATL начнёт... (2603)
- 430 км только на электротяге (новый рекорд)... (2494)
- Dreame представит свой первый электромобиль... (2464)
- Новый флагман с огромным экраном,... (3115)
- OnePlus Turbo 6 с аккумулятором 9000 мАч,... (2619)
Нитрид галлия обещает изменение форм-фактора зарядных устройств
Дата: 2020-02-22 21:26
Подробнее на Yandex.ru
Предыдущие новости
Распродажа: В России впервые подешевел смартфон Samsung Galaxy A51
На платформе Tmall запущена акция, позволяющая приобрести смартфон Samsung Galaxy A51 заметно дешевле, чем он стоит в большинстве других магазинов. Обычная цена официального Samsung Galaxy A51 с 64 Гбайт памяти, напомним, 19 990...
Главный конкурент Xiaomi Mi 10. Мощные флагманы iQOO 3 и iQOO 3 5G представлены официально
iQOO, игровой суббренд Vivo, представил сегодня горячо ожидаемый флагманский смартфон iQOO 3 и его вариацию iQOO 3 5G. Смартфон установил новый рекорд по производительности в AnTuTu. Как объявил производитель во время онлайн-презентации, смартфон набрал в бенчмарке 610 576 баллов. Это заметно больше результатов новых флагманов Xiaomi, прозванных компанией королями...
Imec и ASML показали получение линий с шагом 24 нм с использованием EUV-литографии с одной экспозицией
На проходящей сейчас конференции SPIE Advanced Lithography Conference институт imec и компания ASML объявили о прорыве в EUV-литографии. Речь идет о формировании линий с шагом 24 нм с применением всего одной экспозиции. Линии с таким шагом соответствуют размерам критически важных металлических слоев технологического узла 3 нм, формируемых на конечной стадии полупроводникового...
Первое в мире зарядное устройство с нитридом галлия мощностью 120 Вт
Компания Basel выпустила свое первое зарядное устройство с нитридом галлия в 2019 году, а в этом году популярность подобных адаптеров продолжает стремительно расти. Сегодня компания представила новое зарядное устройство Basel Galio, мощность которого составляет 120 Вт. Нитрид галлия (GaN) и карбид кремния (SiC), используемые в данном адаптере, в настоящее время являются...