- Годовые продажи чипов Wi-Fi 6E и Wi-Fi 7... (2524)
- В России запатентовали космическую станцию с... (2166)
- Аккумулятор 20 000 мАч в смартфоне Samsung?... (2053)
- Xiaomi представила новейший очиститель... (2990)
- Китай активизировал продвижение цифрового... (2686)
- Длительное общение с ИИ может привести к... (2564)
- 4 ТБ памяти DDR5 от Nemix оценили как... (2354)
- «Билайн» + China Mobile: китайский и... (2159)
- Rainbow Six Siege возобновила работу после... (2502)
- 2-нанометровые чипы — в массы. TSMC... (2588)
- Путин подписал закон о подтверждении... (2125)
- «М.Видео»: самые популярные смартфоны к... (2261)
- Honor Power 2, оснащенный аккумулятором... (2734)
- Jawa и «ИЖ» вошли в топ-5 самых популярных... (2827)
- SpaceX не может возобновить запуски Starlink... (2746)
- Топливный бак от запущенной 28 декабря... (2567)
Нитрид галлия обещает изменение форм-фактора зарядных устройств
Дата: 2020-02-22 21:26
Подробнее на Yandex.ru
Предыдущие новости
Распродажа: В России впервые подешевел смартфон Samsung Galaxy A51
На платформе Tmall запущена акция, позволяющая приобрести смартфон Samsung Galaxy A51 заметно дешевле, чем он стоит в большинстве других магазинов. Обычная цена официального Samsung Galaxy A51 с 64 Гбайт памяти, напомним, 19 990...
Главный конкурент Xiaomi Mi 10. Мощные флагманы iQOO 3 и iQOO 3 5G представлены официально
iQOO, игровой суббренд Vivo, представил сегодня горячо ожидаемый флагманский смартфон iQOO 3 и его вариацию iQOO 3 5G. Смартфон установил новый рекорд по производительности в AnTuTu. Как объявил производитель во время онлайн-презентации, смартфон набрал в бенчмарке 610 576 баллов. Это заметно больше результатов новых флагманов Xiaomi, прозванных компанией королями...
Imec и ASML показали получение линий с шагом 24 нм с использованием EUV-литографии с одной экспозицией
На проходящей сейчас конференции SPIE Advanced Lithography Conference институт imec и компания ASML объявили о прорыве в EUV-литографии. Речь идет о формировании линий с шагом 24 нм с применением всего одной экспозиции. Линии с таким шагом соответствуют размерам критически важных металлических слоев технологического узла 3 нм, формируемых на конечной стадии полупроводникового...
Первое в мире зарядное устройство с нитридом галлия мощностью 120 Вт
Компания Basel выпустила свое первое зарядное устройство с нитридом галлия в 2019 году, а в этом году популярность подобных адаптеров продолжает стремительно расти. Сегодня компания представила новое зарядное устройство Basel Galio, мощность которого составляет 120 Вт. Нитрид галлия (GaN) и карбид кремния (SiC), используемые в данном адаптере, в настоящее время являются...