- 5G на российском оборудовании —... (5323)
- Вместо 500 вышек — дирижабль: SoftBank... (5534)
- 5G-модем размером с флешку и роутер в форме... (4933)
- Alibaba значительно улучшила ИИ-модель... (5203)
- Графеновый обогреватель Xiaomi за $25,... (5358)
- Глава Xiaomi показал, как снимает Xiaomi 18... (5010)
- На что способна камера Xiaomi 18 Fold:... (4991)
- Axiom Space готовит упрощённую версию... (5482)
- Новый флагман Xiaomi 18 Fold получит камеру... (5565)
- Забыл, о чём говорили? МТС подключил ИИ,... (5266)
- Крутящий момент 4920 Н•м и расход 5 л/100 км... (5401)
- Geely и Renault создали внедорожную... (5199)
- До 1500 км на одном заряде. Твердотельные... (5427)
- Китай отстаёт от ASML на 15 лет —... (5406)
- VMware: RISC-V никому не нужен, а Arm до... (5296)
- Acer представила ремонтопригодный ноутбук... (4615)
Нитрид галлия обещает изменение форм-фактора зарядных устройств
Дата: 2020-02-22 21:26
Подробнее на Yandex.ru
Предыдущие новости
Распродажа: В России впервые подешевел смартфон Samsung Galaxy A51
На платформе Tmall запущена акция, позволяющая приобрести смартфон Samsung Galaxy A51 заметно дешевле, чем он стоит в большинстве других магазинов. Обычная цена официального Samsung Galaxy A51 с 64 Гбайт памяти, напомним, 19 990...
Главный конкурент Xiaomi Mi 10. Мощные флагманы iQOO 3 и iQOO 3 5G представлены официально
iQOO, игровой суббренд Vivo, представил сегодня горячо ожидаемый флагманский смартфон iQOO 3 и его вариацию iQOO 3 5G. Смартфон установил новый рекорд по производительности в AnTuTu. Как объявил производитель во время онлайн-презентации, смартфон набрал в бенчмарке 610 576 баллов. Это заметно больше результатов новых флагманов Xiaomi, прозванных компанией королями...
Imec и ASML показали получение линий с шагом 24 нм с использованием EUV-литографии с одной экспозицией
На проходящей сейчас конференции SPIE Advanced Lithography Conference институт imec и компания ASML объявили о прорыве в EUV-литографии. Речь идет о формировании линий с шагом 24 нм с применением всего одной экспозиции. Линии с таким шагом соответствуют размерам критически важных металлических слоев технологического узла 3 нм, формируемых на конечной стадии полупроводникового...
Первое в мире зарядное устройство с нитридом галлия мощностью 120 Вт
Компания Basel выпустила свое первое зарядное устройство с нитридом галлия в 2019 году, а в этом году популярность подобных адаптеров продолжает стремительно расти. Сегодня компания представила новое зарядное устройство Basel Galio, мощность которого составляет 120 Вт. Нитрид галлия (GaN) и карбид кремния (SiC), используемые в данном адаптере, в настоящее время являются...