- Представлен очень тихий настольный ПК Asus... (2170)
- Уникальную «Волгу» ГАЗ-21В в стиле... (2230)
- Fujifilm представила ленточный накопитель... (2704)
- 6500 мАч, AMOLED-экран, пять лет обновлений... (2548)
- LG создала робота для домашних дел CLOiD... (2773)
- 7000 мАч, 80 Вт, 200 + 50 Мп. Появились... (2414)
- 9000 мАч, 165/144 Гц, до 16/512 ГБ, IP68/69,... (2217)
- Россия вывела на орбиту спутники для... (2714)
- Камеру Xiaomi 17 Ultra испытали в сложных... (2281)
- Apple обязали компенсировать £1,5 млрд... (2586)
- Apple может столкнуться с необходимостью... (2679)
- Первый смартфон с батареей более 10 000 мАч.... (2518)
- Около 90 % сотрудников стартапа Groq... (2745)
- Новая статья: Обзор блока питания MSI MAG... (3125)
- Новая статья: Обзор и тестирование MSI MPG... (2810)
- Новый уровень для Voyah: компания начинает... (2375)
Нитрид галлия обещает изменение форм-фактора зарядных устройств
Дата: 2020-02-22 21:26
Подробнее на Yandex.ru
Предыдущие новости
Распродажа: В России впервые подешевел смартфон Samsung Galaxy A51
На платформе Tmall запущена акция, позволяющая приобрести смартфон Samsung Galaxy A51 заметно дешевле, чем он стоит в большинстве других магазинов. Обычная цена официального Samsung Galaxy A51 с 64 Гбайт памяти, напомним, 19 990...
Главный конкурент Xiaomi Mi 10. Мощные флагманы iQOO 3 и iQOO 3 5G представлены официально
iQOO, игровой суббренд Vivo, представил сегодня горячо ожидаемый флагманский смартфон iQOO 3 и его вариацию iQOO 3 5G. Смартфон установил новый рекорд по производительности в AnTuTu. Как объявил производитель во время онлайн-презентации, смартфон набрал в бенчмарке 610 576 баллов. Это заметно больше результатов новых флагманов Xiaomi, прозванных компанией королями...
Imec и ASML показали получение линий с шагом 24 нм с использованием EUV-литографии с одной экспозицией
На проходящей сейчас конференции SPIE Advanced Lithography Conference институт imec и компания ASML объявили о прорыве в EUV-литографии. Речь идет о формировании линий с шагом 24 нм с применением всего одной экспозиции. Линии с таким шагом соответствуют размерам критически важных металлических слоев технологического узла 3 нм, формируемых на конечной стадии полупроводникового...
Первое в мире зарядное устройство с нитридом галлия мощностью 120 Вт
Компания Basel выпустила свое первое зарядное устройство с нитридом галлия в 2019 году, а в этом году популярность подобных адаптеров продолжает стремительно расти. Сегодня компания представила новое зарядное устройство Basel Galio, мощность которого составляет 120 Вт. Нитрид галлия (GaN) и карбид кремния (SiC), используемые в данном адаптере, в настоящее время являются...