- Первый смартфон 2026 года с экраном без... (3721)
- Аналог Toyota Alphard с местной сборкой и... (2627)
- Western Digital: HDD сохранят актуальность... (2859)
- Россия запустила проект лунной... (4027)
- США снова нацелились на Xiaomi: компанию... (2855)
- Xiaomi, DeepSeek и Unitree столкнулись в США... (3802)
- «Новая глава в мобильной фотографии,... (3766)
- Waymo научила роботакси решительнее... (2663)
- Waymo после отключения электроэнергии в... (2784)
- Российские операторы связи получат первые... (2746)
- Группа известных писателей обвинила... (2538)
- Группа известных писателей вновь обвинила... (2683)
- Подключать сторонние наушники к iPhone... (2726)
- Apple добавила в iOS 26.3 функцию сопряжения... (3591)
- Рынок перевернулся: внешние SSD на 4 Тбайт... (2371)
- Производители готовы свернуть выпуск... (4076)
Нитрид галлия обещает изменение форм-фактора зарядных устройств
Дата: 2020-02-22 21:26
Подробнее на Yandex.ru
Предыдущие новости
Распродажа: В России впервые подешевел смартфон Samsung Galaxy A51
На платформе Tmall запущена акция, позволяющая приобрести смартфон Samsung Galaxy A51 заметно дешевле, чем он стоит в большинстве других магазинов. Обычная цена официального Samsung Galaxy A51 с 64 Гбайт памяти, напомним, 19 990...
Главный конкурент Xiaomi Mi 10. Мощные флагманы iQOO 3 и iQOO 3 5G представлены официально
iQOO, игровой суббренд Vivo, представил сегодня горячо ожидаемый флагманский смартфон iQOO 3 и его вариацию iQOO 3 5G. Смартфон установил новый рекорд по производительности в AnTuTu. Как объявил производитель во время онлайн-презентации, смартфон набрал в бенчмарке 610 576 баллов. Это заметно больше результатов новых флагманов Xiaomi, прозванных компанией королями...
Imec и ASML показали получение линий с шагом 24 нм с использованием EUV-литографии с одной экспозицией
На проходящей сейчас конференции SPIE Advanced Lithography Conference институт imec и компания ASML объявили о прорыве в EUV-литографии. Речь идет о формировании линий с шагом 24 нм с применением всего одной экспозиции. Линии с таким шагом соответствуют размерам критически важных металлических слоев технологического узла 3 нм, формируемых на конечной стадии полупроводникового...
Первое в мире зарядное устройство с нитридом галлия мощностью 120 Вт
Компания Basel выпустила свое первое зарядное устройство с нитридом галлия в 2019 году, а в этом году популярность подобных адаптеров продолжает стремительно расти. Сегодня компания представила новое зарядное устройство Basel Galio, мощность которого составляет 120 Вт. Нитрид галлия (GaN) и карбид кремния (SiC), используемые в данном адаптере, в настоящее время являются...