- США отложили удар по китайским чипам:... (2731)
- США отложили введение дополнительных тарифов... (3659)
- Toyota Camry под защитой в России: Toyota... (2412)
- Гигантский аккумулятор 10 000 мАч,... (2379)
- Ford бросает вызов Toyota Land Cruiser... (2412)
- Громкая полемика между ведущими учёными... (2336)
- GPT-5 предположительно самостоятельно решила... (2402)
- Ракета Spectrum от Isar Aerospace готова ко... (2359)
- Оперативная память подорожала на 400%:... (2549)
- Пентагон подключает xAI для ускорения... (2634)
- Huawei HarmonyOS за два года перевела более... (2475)
- В Индии ликвидировали подпольный цех по... (2390)
- Искусственный интеллект помог раскрыть... (2731)
- В Китае запретят секстинг — откровенный... (3596)
- В Китае запретят сэкстинг — откровенный... (2920)
- Создан новый российский квантовый компьютер... (3463)
Нитрид галлия обещает изменение форм-фактора зарядных устройств
Дата: 2020-02-22 21:26
Подробнее на Yandex.ru
Предыдущие новости
Распродажа: В России впервые подешевел смартфон Samsung Galaxy A51
На платформе Tmall запущена акция, позволяющая приобрести смартфон Samsung Galaxy A51 заметно дешевле, чем он стоит в большинстве других магазинов. Обычная цена официального Samsung Galaxy A51 с 64 Гбайт памяти, напомним, 19 990...
Главный конкурент Xiaomi Mi 10. Мощные флагманы iQOO 3 и iQOO 3 5G представлены официально
iQOO, игровой суббренд Vivo, представил сегодня горячо ожидаемый флагманский смартфон iQOO 3 и его вариацию iQOO 3 5G. Смартфон установил новый рекорд по производительности в AnTuTu. Как объявил производитель во время онлайн-презентации, смартфон набрал в бенчмарке 610 576 баллов. Это заметно больше результатов новых флагманов Xiaomi, прозванных компанией королями...
Imec и ASML показали получение линий с шагом 24 нм с использованием EUV-литографии с одной экспозицией
На проходящей сейчас конференции SPIE Advanced Lithography Conference институт imec и компания ASML объявили о прорыве в EUV-литографии. Речь идет о формировании линий с шагом 24 нм с применением всего одной экспозиции. Линии с таким шагом соответствуют размерам критически важных металлических слоев технологического узла 3 нм, формируемых на конечной стадии полупроводникового...
Первое в мире зарядное устройство с нитридом галлия мощностью 120 Вт
Компания Basel выпустила свое первое зарядное устройство с нитридом галлия в 2019 году, а в этом году популярность подобных адаптеров продолжает стремительно расти. Сегодня компания представила новое зарядное устройство Basel Galio, мощность которого составляет 120 Вт. Нитрид галлия (GaN) и карбид кремния (SiC), используемые в данном адаптере, в настоящее время являются...