- Epic Games Store устроил раздачу готической... (2687)
- ИИ «съел» все запасы комплектующих: японские... (3773)
- Ученые измерили межзвездную комету 3I/ATLAS... (3832)
- Десять экс-сотрудников Samsung арестованы за... (3606)
- Монитор Asus ROG PG32UCDM3 Black Shield... (2417)
- В России появился третий 70-кубитовый... (3912)
- Релиз амбициозного шпионского боевика 007... (2448)
- Samsung показала первый в мире монитор с... (2355)
- Россиянам могут разрешить торговать... (3487)
- В «Google Фото» вернули ярлыки для поиска по... (2564)
- Власти Китая призвали США отменить запрет на... (3037)
- По основному накопительному кольцу... (3059)
- Corsair по гарантии «заменила» комплект DDR5... (2483)
- «Это же безумие, правда?»: аудитория... (3250)
- Галактический масштаб, никаких экранов... (3168)
- Южная Корея готовит новый ровер к... (2995)
Нитрид галлия обещает изменение форм-фактора зарядных устройств
Дата: 2020-02-22 21:26
Подробнее на Yandex.ru
Предыдущие новости
Распродажа: В России впервые подешевел смартфон Samsung Galaxy A51
На платформе Tmall запущена акция, позволяющая приобрести смартфон Samsung Galaxy A51 заметно дешевле, чем он стоит в большинстве других магазинов. Обычная цена официального Samsung Galaxy A51 с 64 Гбайт памяти, напомним, 19 990...
Главный конкурент Xiaomi Mi 10. Мощные флагманы iQOO 3 и iQOO 3 5G представлены официально
iQOO, игровой суббренд Vivo, представил сегодня горячо ожидаемый флагманский смартфон iQOO 3 и его вариацию iQOO 3 5G. Смартфон установил новый рекорд по производительности в AnTuTu. Как объявил производитель во время онлайн-презентации, смартфон набрал в бенчмарке 610 576 баллов. Это заметно больше результатов новых флагманов Xiaomi, прозванных компанией королями...
Imec и ASML показали получение линий с шагом 24 нм с использованием EUV-литографии с одной экспозицией
На проходящей сейчас конференции SPIE Advanced Lithography Conference институт imec и компания ASML объявили о прорыве в EUV-литографии. Речь идет о формировании линий с шагом 24 нм с применением всего одной экспозиции. Линии с таким шагом соответствуют размерам критически важных металлических слоев технологического узла 3 нм, формируемых на конечной стадии полупроводникового...
Первое в мире зарядное устройство с нитридом галлия мощностью 120 Вт
Компания Basel выпустила свое первое зарядное устройство с нитридом галлия в 2019 году, а в этом году популярность подобных адаптеров продолжает стремительно расти. Сегодня компания представила новое зарядное устройство Basel Galio, мощность которого составляет 120 Вт. Нитрид галлия (GaN) и карбид кремния (SiC), используемые в данном адаптере, в настоящее время являются...